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臺(tái)積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

時(shí)間：2010-09-24 09:22:34

關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶體管 FINFET CMOS

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[導(dǎo)讀]據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種

據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種制程生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品在0.45V工作電壓條件下的信號(hào)噪聲僅為0.09V。

這種Finfet制程技術(shù)采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應(yīng)變(multiple stressors，指應(yīng)用多種應(yīng)力源增強(qiáng)溝道載流子遷移率的技術(shù))技術(shù)，臺(tái)積電宣稱該制程生產(chǎn)出來的產(chǎn)品，不論是采用n型還是p型溝道的型號(hào)，其性能均“十分卓越”，其導(dǎo)通電流可分別達(dá)1200/1100uA/um，管子關(guān)閉時(shí)的漏電流則均僅100nA/um。

除了采用FinFET技術(shù)之外，這種新制程還采用了較先進(jìn)的193nm沉浸式光刻技術(shù)，漏源級(jí)嵌入SiGe層溝道硅應(yīng)變技術(shù)(從SiGe的名稱上看，應(yīng)該是僅針對(duì)P型溝道Fin)，并采用了HKMG(高K絕緣層+金屬柵極)工藝。

今年12月份，臺(tái)積電將在屆時(shí)召開的IEDM大會(huì)上公布這種制程技術(shù)的細(xì)節(jié)。

有關(guān)Finfet，以及立體型晶體管與常規(guī)平面型晶體管區(qū)別的詳細(xì)介紹，讀者可閱讀本站的這篇文章進(jìn)行了解。

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或?qū)⑸a(chǎn)先進(jìn)制程工藝，臺(tái)積電在日本擴(kuò)充產(chǎn)能

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[通信先鋒]

臺(tái)積電3nm工藝或遭推遲,將被三星搶先一步

早前，就有消息稱臺(tái)積電或?qū)⒃?月份正式量產(chǎn)3nm工藝，預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升，而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

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[通信先鋒]

臺(tái)積電3nm制程工藝再推遲一個(gè)季度?

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間由外界預(yù)計(jì)的9月底推遲到第四季度后，再一次將其延后一個(gè)季度，預(yù)計(jì)將于明年才能量產(chǎn)。

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[模擬技術(shù)]

為何市場(chǎng)無視“衰退將至”的消息? 臺(tái)積電給出的利空究竟成色幾何?

周四美股交易時(shí)段，受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響，包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤，但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲，多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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[通信先鋒]

基于臺(tái)積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺(tái)積電代工，但可惜的是，鑒于目前美國歐盟對(duì)俄羅斯的芯片制裁政策，大概率會(huì)導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

又涉侵權(quán)？美貿(mào)委會(huì)對(duì)三星、臺(tái)積電等發(fā)起337調(diào)查

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

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傳：達(dá)成協(xié)議！臺(tái)積電，75億美元印度建廠！

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剛剛，臺(tái)風(fēng)來襲！臺(tái)灣晶圓廠危險(xiǎn)了...

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