臺系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺幣160億元,較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外,之前被主管機關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動;再者,力晶亦宣布將出售部分機臺設備給設備商,再用「售后租回」方式使用,以達活用資產(chǎn)的目的。
力晶日前決定再度啟動募資計劃,以籌措資金購買浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)機器設備,轉(zhuǎn)進45納米制程技術(shù),之前提出發(fā)行上限8億股GDR遭到主管機關(guān)退件,力晶召開董事會決定重新提出申請,額度同樣維持上限8億股。
力晶也宣布,將部分晶圓廠的機臺設備賣給設備商,再用「售后租回」的方式,以達到資產(chǎn)活用的目標,增加手上的現(xiàn)金水位。
在2011年的資本支出方面,力晶宣布將較2010年的資本支出200億元減少20%左右,約160億元,主要用于將旗下12寸晶圓廠轉(zhuǎn)進45納米制程技術(shù)。
力晶自結(jié)第3季財報出爐,在不加計轉(zhuǎn)投資瑞晶的財報中,單季營收為250.24億元,毛利率17.35%,營業(yè)凈利率12.89%,稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元,換算每股稅后0.34元。
以前3季獲利來看,力晶累計稅后獲利達122.39億元,換算前3季每股獲利為2.22元。
在12寸晶圓廠方面,目前單月產(chǎn)能為13萬片,分為標準型存儲器和代工2大業(yè)務,標準型存儲器生產(chǎn)占8萬片產(chǎn)能,代工產(chǎn)能占5萬片,隨著DRAM報價下滑,力晶會逐漸增加代工比重。
Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
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