日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。

爾必達(dá)公司自2004年起便開始研發(fā)TSV技術(shù)，當(dāng)時(shí)他們是在獲得日本政府主導(dǎo)的新能源及工業(yè)技術(shù)發(fā)展協(xié)會(huì)(New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO))資金支援的條件下開始有關(guān)技術(shù)的研發(fā)的。爾必達(dá)公司隨后便一直在繼續(xù)進(jìn)行有關(guān)的技術(shù)開發(fā)工作。公司還宣稱早在09年，爾必達(dá)便已經(jīng)成功研發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款基于TSV技術(shù)以及1Gb DDR3 SGRAM的產(chǎn)品。

至于筆記本產(chǎn)品上的應(yīng)用方面，爾必達(dá)則認(rèn)為這次宣布銷售的樣品芯片相比傳統(tǒng)筆記本用SODIMM內(nèi)存更加省電，產(chǎn)品的工作電壓下降了20%，待機(jī)能耗降低了50%，而且芯片封裝后的面積也下降了70%。