全球半導體芯片產業(yè)創(chuàng)造的價值約3000億美元/年，滲透到幾十萬億美元/年的全球財富創(chuàng)造中。2013年全球晶圓代工業(yè)的總收入約為346億美元(Garnter數(shù)據(jù))，45nm及以下的先進工藝收入約150億美元，占全部營收的比重超過1/3

(一)新產品需求加速制造工藝升級

隨著智能手機和平板電腦等移動智能終端向小型化、智能化、節(jié)能化發(fā)展，芯片的高性能、集成化趨勢明顯，促使芯片制造企業(yè)積極采用先進工藝，對制造出更快、更省電的芯片的追求越演越烈。尤其是許多無線通訊設備的主要元件須用40nm以下先進半導體技術和工藝，因此對先進工藝產能的需求較之以往顯著提升，帶動集成電路廠商不斷提升工藝技術水平，通過縮小晶圓水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通過3D結構改造等非幾何工藝技術和新材料的運用來影響晶圓的電性能等方式實現(xiàn)硅集成的提高，以迎合市場需求。目前，全球工藝最先進的企業(yè)英特爾22納米技術已實現(xiàn)量產(領先行業(yè)1-2年)，2014年，英特爾將采用16/14nm，可以期待的物理節(jié)點為7nm.CPU、DSP、存儲器、FPGA以及關鍵SoC要求采用最先進工藝。從下表主要代工企業(yè)的產能分布及收益情況可以發(fā)現(xiàn)，臺積電最先進的28nm工藝已占其全部營收的22%。

(二)技術進步導致資金投入門檻攀升

半導體廠商的競爭將演變?yōu)椤斄χ疇帯?。在設計環(huán)節(jié)，IC設計線寬的不斷縮小和設計復雜度的持續(xù)增加，使得設計成本快速提高。一塊90納米線寬芯片設計成本約為1400萬美元，到45納米則攀升至5000萬美元以上，32納米、22納米則更高。在制造業(yè)方面，建設一條12英寸28納米、產能3.5萬片/月的生產線的投入約需35-40億美元。

半導體工藝制程為22nm/20nm時，它的建廠費用45億美元～60億美元;工藝研發(fā)費用10億美元～13億美元;產品設計費用1億美元-1.5億美元;掩膜(套)費用500萬美元～800萬美元，因此要實現(xiàn)財務平衡，產品的出貨量至少在1.0億片以上，而目前具備如此規(guī)模市場需求的產品很難尋覓。所以下一代14nm及以下的工藝制程費用一定會高得驚人。

(三)投資門檻提升加速壟斷競爭格局

三星、英特爾、臺積電這三家世界最大的芯片制造公司利用每年新增百億投資的資本壁壘加速推進先進工藝的導入，并向產業(yè)上下游滲透形成更多壟斷。產業(yè)工藝水平和產能的競爭促使優(yōu)勢資源不斷向龍頭企業(yè)集中，產業(yè)壟斷進一步加劇。未來集成電路企業(yè)的競爭將變?yōu)橘Y金投入和企業(yè)規(guī)模的競爭，沒有持續(xù)的資本和技術研發(fā)投入就意味著提前出局?？紤]到目前英特爾積極介入芯片代工領域，并已拿下全球第二大FPGA芯片廠商Altera的先進制程訂單，業(yè)界普遍認為，未來全球半導體代工將呈現(xiàn)英特爾、臺積電、三星三足鼎立局面。

ICInsights預測，2013年全球半導體企業(yè)資本支出總額將達到598.35億美元，較去年微幅成長2%。排名全球前五大的每一家半導體資本支出業(yè)者在2013年至少都有30億美元的投資，這與2012年和2011年的情況大致相同。相較于2012年，在2013年資本支出排名前十大的半導體業(yè)者總計將增加5%的投資，而除了前十大以外的其它廠商預計將刪減8%的支出，行業(yè)集中度將進一步上升。

IC代工是規(guī)模制勝的行業(yè)，呈現(xiàn)大者恒大趨勢，TSMC占全球代工業(yè)務近44%，并持續(xù)增長，領先優(yōu)勢擴大。

Intel、Samsung、TSMC三家企業(yè)的資本支出占總支出的比重超過50%!投資強度持續(xù)增加。

(四)壟斷競爭帶動產業(yè)鏈深刻變革

為取得壟斷地位的激烈競爭正在推動全球集成電路產業(yè)格局深刻變革，各大跨國企業(yè)以強化產業(yè)鏈整合及控制能力為主要目的，加速進行兼并重組，相互間展開激烈的競合博弈，產業(yè)競爭模式已正式向“全產業(yè)鏈競爭”轉變。如設計與制造、封裝的集合越來越緊密，高通欲投資臺積電，為其開辟一條專門的生產線;制造商與設備商加強互動，Intel、臺積電、三星電子分別以41億美元、14億美元、9.7億美元投資全球最大的光刻機廠商ASML，緊密的類IDM模式環(huán)境正在形成。