中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際/SMIC)今天宣布，28nm HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極)工藝已經(jīng)成功流片。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家能夠同時(shí)提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工藝的晶圓代工企業(yè)。與傳統(tǒng)的PolySiON工藝相比，HKMG技術(shù)可有效改善驅(qū)動(dòng)能力，進(jìn)而提升晶體管的性能，同時(shí)大幅降低柵極漏電量。

聯(lián)芯科技將基于中芯國(guó)際28nm HKMG工藝打造新的智能手機(jī)SoC芯片，包括移動(dòng)處理器和基帶，CPU主頻達(dá)1.6GHz，目前已通過(guò)驗(yàn)證，準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)階段。

此外，中芯國(guó)際還將持續(xù)進(jìn)行28nm技術(shù)平臺(tái)的開(kāi)發(fā)及改善，預(yù)計(jì)2016年底推出基于HKMG工藝的緊湊加強(qiáng)型版本。

中芯與聯(lián)芯在一起

中芯國(guó)際40LL、28PS、28HKMG工藝對(duì)比