近日，中國科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院與中芯國際集成電路制造有限公司在產(chǎn)學(xué)研合作中取得新進(jìn)展，成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標(biāo)系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷，幫助縮短顯影研發(fā)周期，節(jié)省研發(fā)成本，為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。該成果已在國際光刻領(lǐng)域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發(fā)表。

超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻工藝中，圖案尺寸越來越小、密度越來越高，顯影后的殘留缺陷對圖案化的襯底表面越來越粘，如何有效去除顯影缺陷一直是業(yè)界探討的熱點(diǎn)問題之一，國際上對此也尚未存在完備的解決方案。利用校企合作的平臺，國科大微電子學(xué)院馬玲同學(xué)通過向校內(nèi)、企業(yè)導(dǎo)師的不斷請教和討論，結(jié)合同中芯國際光刻研發(fā)團(tuán)隊(duì)的密切協(xié)作，成功建立一種基于粘滯流體力學(xué)的顯影缺陷物理模型，可以探究單硅片上顯影過程中出現(xiàn)的各種物理極限以及針對不同規(guī)格缺陷的去除解決方案，為解決這一難題開辟了全新的道路。同時(shí)，這一模型的提出還有助于完善國產(chǎn)裝備中勻膠顯影機(jī)的相關(guān)算法。