據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電(TSMC )可能改進(jìn)16nm代工業(yè)務(wù)，增加兩個(gè)更先進(jìn)的工藝，從而與英特爾和三星電子的14nm代工業(yè)務(wù)競爭。根據(jù)臺積電原本路線圖，16nm FinFET工藝有望在2014年底試生產(chǎn)，但是，現(xiàn)在臺積電決定在年底推出16nm FinFET +工藝，并且在2015年至2016年推出更先進(jìn)的16nm FinFET工藝。

消息人士表示，臺積電16FinFET +工藝預(yù)計(jì)將在2015年初進(jìn)入批量生產(chǎn)，并可能有助于臺積電贏得蘋果A9處理器訂單。

根據(jù)摩根大通證券表示，因?yàn)樾酒娣e縮減，某些無晶圓廠的移動客戶可直接采用16nm FinFET +工藝取代之前的20nm工藝。

消息人士指出，臺積電更先進(jìn)的16nm工藝被暫時(shí)命名為16nm FinFET Turbo。