電阻與二極體(Diode)將朝更微型化推進。隨著行動與穿戴式裝置配備的功能更趨多元，其搭載的電阻、齊納(Zener)二極體及蕭特基(Schottky)二極體等離散式(Discrete)元件體積亦被要求朝更小尺寸演進，也因此，羅姆(ROHM)已透過全新制程技術(shù)，打造超微型電阻與二極體，滿足品牌商開發(fā)需求。

羅姆株式會社董事暨離散式元件生產(chǎn)部本部長東克己(右1)表示，該公司已克服量產(chǎn)微型化離散元件的技術(shù)窒礙，成功投產(chǎn)超微型化電阻及二極體元件。左一為董事長勝野英和、左二為FAE海外系長水源德健、右二為RASMID開發(fā)課課長玉川博詞。

羅姆株式會社Discrete制造本部本部長東克己表示，面對智慧型手機、穿戴式裝置及消費性醫(yī)療電子裝置等對于更微小化的離散式元件需求看漲，該公司已借助全新制程，成功量產(chǎn)出超微小化電阻、齊納二極體及蕭特基二極體，其中電阻最小尺寸僅0.2毫米×0.1毫米，預定將于2014年10月開始供貨；而齊納二極體與蕭特基二極體則為0.4毫米×0.2毫米。

據(jù)了解，由于電阻和二極體體積縮小容易犧牲電氣特性，因此羅姆系采用獨創(chuàng)晶片元件結(jié)構(gòu)和超精密加工技術(shù)，藉此維持與傳統(tǒng)0.6毫米×0.3毫米產(chǎn)品同樣的電氣特性，并實現(xiàn)更小型化和超薄化的設(shè)計。

至于羅姆發(fā)布0.2毫米×0.1毫米齊納二極體與蕭特基二極體的時間點，羅姆株式會社Discrete制造本部RASMID開發(fā)課課長玉川博詞說明，齊納二極體和蕭特基二極體屬于p-n接面的晶片，因此微型化不易，短時間內(nèi)該公司將不會考慮推出0.2毫米×0.1毫米方案。

盡管超微型化的離散元件單價較高，但東克己認為，由于超微型化電阻和二極體的電極、焊接及焊膏尺寸小，因此整體物料清單(BOM)成本亦跟著調(diào)降，系統(tǒng)業(yè)者不僅不會墊高成本，且能挾微型化優(yōu)勢提高產(chǎn)品的附加價值。