全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2012年衰退2.5%后，2013年恢復(fù)成長(zhǎng)，年成長(zhǎng)率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3190億美元，較2012年的3029億美元成長(zhǎng)4.9%，成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿κ怯蒁RAM及NAND Flash帶動(dòng)，DRAM及NAND在2013年的年成長(zhǎng)率分別為35%及27.7%。

營(yíng)業(yè)額前3甲連莊

2013年全球半導(dǎo)體公司營(yíng)業(yè)額，英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名，2013年?duì)I業(yè)額合計(jì)977.6億美元，占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)額30.8%，囊括近3分之1的市場(chǎng)，可見(jiàn)其影響力之大。

2013年各家半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額部份，英特爾估469.6億美元，年減1%，不如整體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng);三星營(yíng)業(yè)額334.6億美元，年成長(zhǎng)7%，DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體)及NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)市占率皆全球第一，因此成長(zhǎng)率較英特爾佳;高通營(yíng)業(yè)額173.4億美元，年增31.6%，高通高成長(zhǎng)主要受惠于智慧型手機(jī)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。

2013年能與高通的高成長(zhǎng)抗衡的，是記憶體公司美光(Micron)，合并日本爾必達(dá)(Elpida)后，2013年?duì)I業(yè)額激增到141.7億美元，較2012年的67.7億美元成長(zhǎng)109.2%。美光的排名由2012年的第10名，躍升到第4名。

另一家以記憶體為主的SK Hynix(SK海力士)，2013年?duì)I業(yè)額133.3億美元，較2012年的89.7億美元成長(zhǎng)48.7%，排名由第7上升到第5。

日本大型半導(dǎo)體公司除東芝(Toshiba)以外，在2013年表現(xiàn)皆很不好，東芝因有NAND Flash的產(chǎn)品線，營(yíng)業(yè)額為124.6億美元，較前一年成長(zhǎng)11.9%，全球排名第6。

日廠僅東芝正成長(zhǎng)

日本瑞薩(Renesas)2013年?duì)I業(yè)額78.2億美元，較2012年衰退15.3%，排名退步到第10;索尼(Sony)及羅姆(Rohm)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，2013年的營(yíng)業(yè)額分別衰退28.1%及14.3%，索尼的排名掉到第15，羅姆半導(dǎo)體跌出前20大排行榜。

美國(guó)德州儀器(TI)，2013年的營(yíng)業(yè)額為113.8億美元較前一年衰退5.6%，排名由第4退步到第7。博通(Broadcom)及意法(ST) 2013年的營(yíng)業(yè)額分別為81.2億美元80.8億美元，2013年的排名為第8及第9。

聯(lián)發(fā)科2013年?duì)I業(yè)額預(yù)估為45.2億美元較2012年的33.6億美元成長(zhǎng)34.5%，全球排名由第18名進(jìn)步到14名;晨星半導(dǎo)體2013年預(yù)估營(yíng)業(yè)額為11.1億美元，今(2014)將完成合并的2公司合并營(yíng)業(yè)額為56.3億美元，排名可提升到第11名。