聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎(chǔ)技術(shù)平臺與材料科技，并將主導大部分制程研發(fā)，以結(jié)合先進科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。

聯(lián)電執(zhí)行長顏博文表示，隨著IC設(shè)計業(yè)者對于更新、更先進技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)聯(lián)盟，將與IBM協(xié)同努力，克服現(xiàn)階段的研發(fā)障礙。

事實上，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)在14奈米FinFET制程發(fā)展方面，亦與IBM有相當密切的合作往來，因而引發(fā)業(yè)界對聯(lián)電難以突顯制程差異性的疑慮。此外，法人也憂心聯(lián)電和IBM共同推動0.13微米制程的失敗情形重演，更對IBM的前瞻制程科技抱持「中看不重用」的懷疑，擔心聯(lián)電無法在2015年的1x奈米FinFET市場爭取有利位置。

對此，顏博文回應，過去聯(lián)電在0.13微米落后對手肇因于未與IBM明確分工，因此，未來發(fā)展14和10奈米制程，聯(lián)電將導入IBM的FinFET基礎(chǔ)制程平臺與材料科技，加速復雜立體結(jié)構(gòu)的FinFET技術(shù)成形，同時根據(jù)客戶需求自行開發(fā)衍生性的量產(chǎn)方案，以結(jié)合兩家公司各自的技術(shù)能量，加快產(chǎn)品上市時程，并提高制程獨特性與市場競爭力。

據(jù)悉，聯(lián)電將積極爭取14/10奈米FinFET制程主導權(quán)，除持續(xù)擴充相關(guān)制程設(shè)備與驗證分析解決方案的第三方合作夥伴陣容外，今年規(guī)畫15億美元資本支出中，亦將投入三分之二建置28奈米以下制程，可見其高度看重FinFET技術(shù)投資。

顏博文進一步強調(diào)，相較于其他競爭對手投注大量資源發(fā)展20奈米制程，聯(lián)電將跳過此一制程節(jié)點，集中火力搶攻14奈米FinFET技術(shù)，并將同步啟動10奈米FinFET研究計劃，讓資本支出與研發(fā)資源發(fā)揮最大效益。