近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。

美光將會(huì)開(kāi)始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運(yùn)用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì)在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。

IBM將會(huì)在12月5日于美國(guó)華盛頓舉行的IEEE國(guó)際電子裝置會(huì)議上展示它的TSV制程技術(shù)。

對(duì)于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)是DRAM封裝的一項(xiàng)突破。HMC的原型能以每秒128GB的速率執(zhí)行，相較于目前的記憶體芯片的速率為12.8GB/s。HMC使用的電力也少了70%。

HMC將會(huì)運(yùn)用在網(wǎng)路與高效能運(yùn)算設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化與消費(fèi)性產(chǎn)品等。目前HMC將主要針對(duì)高端用戶。