近日，由科達半導(dǎo)體公司主導(dǎo)、聯(lián)合其他兩家單位共同實施的《汽車用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項目，被財政部、工業(yè)和信息化部確定為2011年度電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目，并獲得500萬元資金扶持。

《汽車用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項目總投資4000多萬元，項目完成時，將達到年產(chǎn)10萬個汽車點火器、8萬個IGBT芯片及1萬個IGBT模塊的生產(chǎn)能力，對滿足汽車點火器與新能源汽車快速充電系統(tǒng)、逆變驅(qū)動系統(tǒng)所需IGBT，促進我國新型電力電子器件技術(shù)進步及產(chǎn)業(yè)發(fā)展，具有積極的推動作用。

科達半導(dǎo)體公司自成立以來，通過引進各類國際先進的技術(shù)開發(fā)和試驗測試設(shè)備，目前已經(jīng)建立新型功率半導(dǎo)體設(shè)計中心、國內(nèi)最先進的功率半導(dǎo)體測試實驗室、功能齊全的功率半導(dǎo)體器件可靠性實驗室和國內(nèi)首條IGBT專用超薄晶片加工后道生產(chǎn)線，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)IGBT芯片量產(chǎn)銷售的企業(yè)，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

科達半導(dǎo)體公司注重科技創(chuàng)新和技術(shù)研發(fā)，實施的絕緣柵雙極晶體管產(chǎn)業(yè)化項目，獲得國家發(fā)改委電力電子產(chǎn)業(yè)化專項最高額度扶持1500萬元，被列為科技部火炬計劃、山東省重大建設(shè)項目;實施的1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)項目，獲得科學(xué)技術(shù)部頒發(fā)的國家重點新產(chǎn)品證書;實施的節(jié)能汽車與新能源汽車專用IGBT芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目，被列入山東省自主創(chuàng)新成果重大轉(zhuǎn)化項目，并獲得東營市十佳科技創(chuàng)新成果獎。