SK海力士公司表示，將投資127.73億人民幣在首爾南部的清州建造新工廠，以滿足市場上日益增長的智能手機NAND閃存芯片需求。還將斥資54.91億人民幣在無錫建廠，以增加動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)芯片的產(chǎn)能。去年該公司表示，將投資總額46萬億韓元提高芯片產(chǎn)量。

集邦科技的研究報告顯示，2017年的NAND Flash產(chǎn)能將會增加6%，不過價格會處于穩(wěn)步上揚的狀態(tài)。價格上揚的主要原因來自于工藝技術(shù)的更新，2D-NAND芯片會在2017年降低占比，隨后慢慢退出市場;而64層的3D-NAND要進入到市場還需要等到2017年第三季度，在此之前，NAND閃存顆粒的還是處于供不應(yīng)求狀態(tài)。

移動設(shè)備存儲需求的增長和固態(tài)硬盤在PC、數(shù)據(jù)中心的使用已促使SK海力士對手三星電子、東芝提高在芯片生產(chǎn)上的投資。“為了實現(xiàn)進一步增長，提前確保芯片產(chǎn)能很重要，這樣才能應(yīng)對3D NAND技術(shù)引領(lǐng)的NAND閃存市場增長，”SK海力士在一份聲明中稱。

現(xiàn)在手機硬件配置發(fā)展迅速，其中內(nèi)存容量更是扶搖直上。短短幾年間，手機運行內(nèi)存從256MB發(fā)展至現(xiàn)在的6GB，直追電腦。日前，海力士宣布出貨8GB LPDDR4手機內(nèi)存，旗艦手機8GB內(nèi)存時代已經(jīng)到來。

SK海力士最新的8GB LPDDR4內(nèi)存為單芯片封裝，適合用于智能手機、平板機。它整合了四顆2GB的DRAM IC，額定數(shù)據(jù)傳輸率3733MT/s(也就是頻率3733MHz)，帶寬達29.8GB/s。

該芯片21nm工藝制造，15×15毫米366/376-ball FBGA小型封裝，兼容主流移動設(shè)備，可與SoC處理器、UFS NAND閃存堆疊封裝，電壓1.8/1.1V，現(xiàn)在已經(jīng)開始出貨。

三星兩個月前同樣推出了8GB LPDDR4內(nèi)存，頻率稍高，為4266MHz。SK海力士表示計劃在明年開始量產(chǎn)10nm制程的DRAM芯片，業(yè)界內(nèi)有消息稱SK海力士的10nm晶圓已經(jīng)完成制樣，正在進行可靠性認證。

【文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除】