此前曾有消息稱，臺(tái)積電計(jì)劃推出一種新的12nm制造工藝，但并非全新研發(fā)，而是16nm工藝的第四代改良版本。

在最近的一次財(cái)務(wù)會(huì)議上，有分析師詢問(wèn)臺(tái)積電高層，是否真的有12nm，得到回應(yīng)稱確實(shí)在研究類似的東西，但沒(méi)有明確提及12nm，可能對(duì)于這個(gè)命名還不是很確定。

臺(tái)積電同時(shí)表示，其策略始終都是持續(xù)改進(jìn)每一代工藝，包括28nm。

按照此前報(bào)道，臺(tái)積電所謂的12nm相比于現(xiàn)在的16nm，可帶來(lái)更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，配得上12nm這個(gè)名字，同時(shí)也可以更好地用來(lái)反擊三星、GlobalFoundries、中芯國(guó)際等對(duì)手的14nm

目前，臺(tái)積電16nm工藝已經(jīng)有多個(gè)版本，包括FinFET、FinFET Plus、FinFET Compact等，適用于不同領(lǐng)域。

臺(tái)積電的下一步是10nm，目前已經(jīng)進(jìn)入初步量產(chǎn)階段，首批重點(diǎn)客戶包括蘋果A11、華為麒麟970、聯(lián)發(fā)科Helio X30。高通的驍龍835則使用三星10nm。

Intel：我費(fèi)心費(fèi)力終于快搞出10nm，你這改個(gè)名字就快追上我了……