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[導讀]三星高管在這次會議上表示,三星7納米是第一個采用FinFET EUV技術的半導體工藝,將于2018年晚些時候推出。這點沒錯,臺積電要到第二代7納米工藝N7+上才會使用EUV工藝,但是三星比較激進,7納米節(jié)點上會直接上7納米EUV工藝,未來的5/4/3納米節(jié)點也會全面使用EUV工藝。

三星周二(9月4日)在日本舉行“三星晶圓代工論壇2018日本會議”(Samsung Foundry Forum),簡稱SFF Japan 2018。這是三星第二次在日本舉行代工會議,日本PCwatch網站介紹了三星這次會議的主要內容,三星的口號是“最受信任的代工廠”,并公布了三星在晶圓代工上最新的3納米工藝技術路圖,以及7納米投產進度,將搶攻高端計算與聯(lián)網設備市場。

三星高管在這次會議上表示,三星7納米是第一個采用FinFET EUV技術的半導體工藝,將于2018年晚些時候推出。這點沒錯,臺積電要到第二代7納米工藝N7+上才會使用EUV工藝,但是三星比較激進,7納米節(jié)點上會直接上7納米EUV工藝,未來的5/4/3納米節(jié)點也會全面使用EUV工藝。

 

 

據三星表示,關鍵知識產權(IP)已在開發(fā),將于2019年上半年完成。而8納米LPU工藝也會開始風險試產,2019年則會推出5/4納米 FinFET EUV工藝,同時開始18納米FD-SOI工藝的風險試產,后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產品。

根據三星的說法,他們在韓國華城的S3 Line生產線上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機,這條生產線原本是用于10納米工藝的,現在已經被改造,據說現在的EUV產能已經達到了大規(guī)模生產的標準。

 

 

此外,三星還在S3生產線之外建設全新的生產線,這是EUV工藝專用的,計劃在2019年底全面完成,EUV的全面量產計劃在2020年完成。

2020年三星則會推出3納米EUV工藝,三星晶圓代工部門總裁鄭恩昇(E.S. Jung)表示,3納米工藝晶體管架構將首度由FinFET變成閘極全環(huán)(GAA,Gate-All-Around),GAA公認為7納米節(jié)點之后取代FinFET晶體管的新一代技術候選,并將配合極紫外光(EUV)微影設備,來克服物理限制。

 

 

對三星來說,他們的7納米客戶都有誰至關重要,特別是在臺積電搶下絕大多數7納米訂單的情況下,不過臺積電7納米產能不可能包攬所有訂單,三星依然有機會搶得客戶。

有趣的是,三星在會上表示其7納米將應用在網絡、汽車領域,而非效能要求較高的圖像處理器(GPU),意謂著三星7納米技術似乎未能獲得Nvidia與AMD青睞。AMD日前已宣布下一代Zen 2中央處理器與Navi圖像處理器,都將交予臺積電以7納米工藝代工。 耗費巨資的7納米如果只能拿來小打小鬧,意義也就不大了。

下面是三星在封裝測試方面的路線圖了,目前三星已經可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝,明年則會推出3D SiP系統(tǒng)級封裝,其中I-Cube封裝已經可以實現4路HBM 2顯存堆棧了。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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