功能豐富的半導(dǎo)體平臺為下一代計算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴展性

21IC訊  格芯近日在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強差異化投資的全新側(cè)重點之一。新工藝技術(shù)旨在為快速增長市場(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動駕駛汽車)應(yīng)用提供更好的可擴展性和性能。

在當(dāng)今數(shù)據(jù)密集的世界，對高性能芯片的需求永無止境，以處理和分析互連設(shè)備產(chǎn)生的信息流。格芯的FinFET產(chǎn)品是為最嚴(yán)苛的計算應(yīng)用提供高性能、高功效的片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計的理想平臺。

通過提供針對超高性能和增強型射頻連接進行了優(yōu)化的晶體管改進以及采用針對新興企業(yè)和云安全需求的新型高速、高密度存儲器，新平臺將改善功耗、性能和可擴展性等性能。

格芯業(yè)務(wù)部高級副總裁Bami Bastani博士表示：“我們致力于增強發(fā)展差異化產(chǎn)品，幫助客戶從每一代技術(shù)投資中獲得更多價值。通過在FinFET產(chǎn)品中引入這些新特性，我們將提供強大的技術(shù)改進，使客戶能夠為下一代智能系統(tǒng)擴展性能并創(chuàng)造創(chuàng)新產(chǎn)品。”

格芯的14/12nm FinFET平臺提供先進的性能和低功耗，具有顯著的成本優(yōu)勢。平臺添加了豐富的增強功能包括：

·超高密度：通過持續(xù)改進12LP設(shè)計庫(7.5T)，并結(jié)合SRAM和先進的模擬技術(shù)，在更小的芯片區(qū)域內(nèi)提供更高的晶體管密度，以支持客戶的內(nèi)核計算、連接和存儲應(yīng)用，以及移動和消費電子終端。

·性能提升：通過將SRAM Vmin降低100mV、待機漏電流降低約50%以提高性能，從而為現(xiàn)有應(yīng)用和新興應(yīng)用(如機器學(xué)習(xí)和人工智能)提升性能。

·射頻/模擬：提供全套無源器件、超厚金屬和LDMOS選項，可面向含有較高數(shù)字內(nèi)容的6GHz以下的RF SoC實現(xiàn)先進的射頻性能(Ft/Fmax可達340GHz)。

·嵌入式存儲器：為新興企業(yè)、云和通信應(yīng)用提供超高安全性以及一次性可編程(OTP)和多次可編程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)內(nèi)存。使用物理上無法檢測的電荷捕獲技術(shù)(CTT)實現(xiàn)安全解決方案，包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存儲器，以實現(xiàn)更高的SoC集成度。格芯的CTT解決方案無需額外的處理或屏蔽步驟，與基于介電熔絲技術(shù)的類似OTP解決方案相比，可提供雙倍密度。

與28nm技術(shù)相比，格芯的14LPP技術(shù)可將器件性能提高55%，總功耗降低60%;而與當(dāng)今市場上的16/14nm FinFET解決方案相比，格芯的12LP技術(shù)可將電路密度提高15%，性能提升10%以上。格芯前沿的FinFET平臺自2016年初起已投入大規(guī)模生產(chǎn)，并符合汽車2級標(biāo)準(zhǔn)。