此項認證為先進客戶設計提供了經(jīng)過驗證的、可隨時投產(chǎn)的流程

重點：

·IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統(tǒng)一流程，實現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。

·StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設計實現(xiàn)并提供時序和功耗分析的signoff支持。

·具有先進仿真解決方案的新思科技定制設計平臺支持最新5nm設計規(guī)則和FinFET器件模型。

新思科技(Synopsys, Inc.)宣布，新思科技數(shù)字和定制設計平臺通過了TSMC最先進的5nm EUV工藝技術認證。該認證是多年廣泛合作的結(jié)果，旨在提供更優(yōu)化的設計解決方案，加快下一代設計的發(fā)展進程。

Design Compiler® Graphical綜合工具經(jīng)過了嚴格的5nm啟用驗證，并證明了與IC Compiler™ II布局布線工具在時序、面積、功耗和布線擁塞方面的相關一致性。Design Compiler Graphical 5nm創(chuàng)新技術可以實現(xiàn)最佳性能、最低功耗和最優(yōu)面積，這些新技術包括過孔支柱優(yōu)化、多位庫和引腳接入優(yōu)化。

IC Compiler II的增強功能是滿足設計密度要求的關鍵。在優(yōu)化過程中可內(nèi)在地處理復雜的、多變量以及二維的單元布局，同時最大限度提高下游可布線性以及整體的設計收斂。

新思科技PrimeTime®時序分析和signoff解決方案中的POCV分析已得到增強，能夠準確地捕獲由于工藝縮放和通常用于實現(xiàn)能源效率而采用的低電壓操作導致的非線性變化。此外，PrimeTime物理感知ECO已擴展到能夠支持更復雜的版圖規(guī)則，以改善擁塞、布局和引腳接入感知。

TSMC設計基礎設施市場部資深總監(jiān)Suk Lee表示，“5nm EUV技術是TSMC的核心里程碑，在提供業(yè)界最佳的工藝技術方面繼續(xù)擴大了我們在更廣泛行業(yè)中的領先地位。我們一直保持與新思科技的密切合作，簡化設計流程并縮短上市時間，以幫助我們的共同用戶在這一新的工藝節(jié)點上使用新思科技設計平臺。此次合作最大程度地使該工藝在高性能計算和超低功耗移動應用上得以發(fā)揮優(yōu)勢。我們期待為下一代工藝節(jié)點繼續(xù)合作。”

新思科技芯片設計事業(yè)部營銷與商務開發(fā)副總裁Michael Jackson表示，“我們始終保持與TSMC廣泛合作，幫助我們的共同用戶在新思科技設計平臺上充分利用TSMC 5nm工藝技術的優(yōu)勢，從而加快世界領先的高密度芯片從設計到生產(chǎn)的過程，實現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。”

新思科技設計平臺相關技術文件、庫和寄生參數(shù)數(shù)據(jù)可以從TSMC獲得，并用于5nm工藝技術。通過TSMC 5nm FinFET工藝認證的新思科技設計平臺的關鍵工具和功能包括：

lIC Compiler II布局和布線：全自動、全著色布線和提取支持，新一代布局及布局合法化技術能夠進一步減少單元占用空間，以及面向高設計利用率的先進布局合法化技術和引腳接入建模。

lPrimeTime時序signoff：針對低電壓和增強型ECO技術的先進片上變異建模，支持新的物理設計規(guī)則。

lPrimeTime PX功耗分析：先進的功耗建模，可準確分析超高密度標準單元設計的漏電影響。

lStarRC提取signoff：先進的建模以處理5nm器件的復雜性，以及一套通用技術文件用于保證從邏輯綜合到布局布線到signoff的寄生參數(shù)提取一致性。

lIC Validator物理signoff：原生開發(fā)的合格DRC、LVS和金屬填充運行集，與TSMC設計規(guī)則同時發(fā)布。

lHSPICE®、CustomSim™和FineSim®仿真解決方案：支持Monte Carlo的FinFET器件建模，以及精確的電路仿真結(jié)果，用于模擬、邏輯、高頻和SRAM設計。

lCustomSim可靠性分析：針對5nm EM規(guī)則的精確動態(tài)晶體管級IR/EM分析。

lCustom Compiler™定制設計：支持全新5nm設計規(guī)則、著色流程、多晶硅通道區(qū)域以及新的MEOL連接要求。

lNanoTime定制設計時序分析：針對5nm器件的運行時間和內(nèi)存優(yōu)化，F(xiàn)inFET堆的POCV分析，以及面向定制邏輯、宏單元和嵌入式SRAM的增強型信號完整性分析。

lESP-CV定制設計功能驗證：面向SRAM、宏單元和庫單元設計的晶體管級符號等價性檢查。