根據(jù)外媒的報(bào)道，AMD正在努力將內(nèi)存嵌入到處理器中的單一封裝中，內(nèi)存將通過硅通道連接。

據(jù)介紹，在許多領(lǐng)域，制造商已經(jīng)在研究類似的技術(shù)，比如HBM2和NAND 3D垂直堆疊。然而，對于處理器而言，這是全新的。新技術(shù)不會使實(shí)際內(nèi)存更快，但會使其在整體性能方面更有效。

早在2018年末的架構(gòu)日上，英特爾宣布了他們的Foveros 3D封裝技術(shù)，允許芯片以新的方式堆疊在一起，創(chuàng)造出一個完全3D的處理器。在2018年國際消費(fèi)電子展上，英特爾還公布了該公司首款Foveros 3D處理器Lakefield。

英特爾的Lakefield CPU是英特爾首款“混合處理器”，搭載單個10nm Sunny Cove處理內(nèi)核以及四個較小的10nm CPU內(nèi)核。這種組合使英特爾能夠在低功耗范圍內(nèi)提供大量多線程性能，從而創(chuàng)建一個低功耗處理器。

英特爾的Lakefield處理器設(shè)計(jì)尺寸為12mm×12mm，3D封裝，底層是I/O芯片，中間是CPU和GPU，處理器頂部是DRAM。