美國LED大廠Cree向美國專利商標局(USPTO)申請的20080272386號專利，已于11月公開，內(nèi)容是使用激光剝削或切削(laserablationorsawing)技術(shù)直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋轉(zhuǎn)涂布法將半導(dǎo)體納米晶體或熒光粉等熒光材料填入凹槽中，在凹槽間形成一個凸面橋，這個方法可以讓白光LED變得更小、更容易制造。
這些熒光填充物能把SiC基板上的GaNLED所發(fā)出的窄頻域藍光，轉(zhuǎn)換成寬帶譜的白光。專利發(fā)明人PeterAndrews指出，與目前將LED置于杯狀基座(submount)中并以光轉(zhuǎn)換材料封裝的技術(shù)相比，在基板上刻蝕出凹槽是一大進展，因為前者會限制白光LED的最小尺寸。為了協(xié)助光脫離LED，廠商會改變基座的形狀并提高其反射率，而Cree的凹槽設(shè)計也有提高光萃取率的作用。
Andrews指出，除了傳統(tǒng)LED使用的熒光粉外，在凹槽中引進硒化鎘(CdSe)等半導(dǎo)體納米微晶，也有助于控制發(fā)光波長。Cree建議以噴墨(inkjet)印刷、網(wǎng)印(screenprinting)與噴槍(airbrush)應(yīng)用系統(tǒng)取代常見的旋涂法，將這類新穎材料填入凹槽中。
盡管采用新的波長轉(zhuǎn)換材料并增加了凹槽設(shè)計，LED裸晶仍保有傳統(tǒng)的標準電極結(jié)構(gòu)，因此可繼續(xù)封裝成LED，或直接那來使用，例如直接被固定在電路板或基板上作應(yīng)用。
Cree在11月宣布，大小為1mm×1mm高功率白光LED的發(fā)光效率可高達161lm/W。對于這項新記錄，Cree表示這是晶粒與封裝技術(shù)提升的結(jié)果。該公司表示，他們即將生產(chǎn)這種具有紀錄優(yōu)勢的LED，將持續(xù)在生產(chǎn)過程中導(dǎo)入創(chuàng)新技術(shù)，預(yù)期一年內(nèi)將開始量產(chǎn)這種高效能的LED。
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下載文檔由于電子整機和系統(tǒng)在航空、航天、計算機等領(lǐng)域?qū)π⌒突?、輕型化、薄型化等高密度組裝要求的不斷提高，在MCM的基礎(chǔ)上，對于有限的面積，電子組裝必然在二維組裝的基礎(chǔ)上向z方向發(fā)展，這就是所謂的三維(3D)封裝技術(shù)。
關(guān)鍵字： 3D封裝 LED封裝 PN結(jié)管芯現(xiàn)階段大規(guī)模商用白光LED由于缺乏紅光成分使得器件顯色指數(shù)偏低、色溫偏高，從而對色彩的還原能力較弱，光品質(zhì)較差。近年來，為實現(xiàn)高顯色指數(shù)白光發(fā)射，近紫外芯片激發(fā)熒光粉的組合受到了廣泛關(guān)注。近日，廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所封...
關(guān)鍵字： 白光LED
廠商專欄
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