LED的效率趨勢如何？以各種光源的發(fā)光效率來看，白熾燈 和鹵素?zé)?只有20~30lm/W,省電燈泡 大約在70lm/W,HID能夠增加到100lm/W,燈管發(fā)光效率目前微增至近120lm/W,不過在2010年分別只有約80lm/W和不到30lm/W的LED和OLED,卻都呈現(xiàn)快速改善的態(tài)勢，未來幾年可望突破各種傳統(tǒng)燈具，LED實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)也往200lm/W邁進(jìn)。

2000年時(shí)光纖到家(FTTH)喊得震天價(jià)響，造就光通訊產(chǎn)業(yè)備受看好，但是后來無線通訊快速發(fā)展成為替代產(chǎn)品，也使光通訊產(chǎn)業(yè)快速走下坡。預(yù)期今天的LED也扮演當(dāng)年無線通訊產(chǎn)業(yè)的角色，成為燈具的新一代選擇。

白熾燈泡釋放的能量因?yàn)橐约t外線為絕大部分，因此不斷加熱環(huán)境溫度，事實(shí)上并不是理想的照明燈具。目前20~40W的燈具，LED取代趨勢已成熟，60W則還有散熱問題未解。此外，LED的炫光問題也有待改善。

GE日前宣布關(guān)閉美國最后一間白熾燈泡工廠，正呼應(yīng)美國2007年宣布2014年之前要淘汰所有白熾燈 泡，也顯示白熾燈泡的能量效率過低。另外，飛利浦也指出LED將是照明產(chǎn)業(yè)的主要驅(qū)動(dòng)力量，并預(yù)計(jì)以營業(yè)額計(jì)的滲透率至2015年要超過50%。走得最快的日本則已達(dá)50%。

LED照明商業(yè)化發(fā)展趨勢

盡管LED照明趨勢明確，但是現(xiàn)在只單做LED照明確很難生存，主要是標(biāo)準(zhǔn)沒有底定、技術(shù)也還不夠成熟。不僅如此，LED的光電產(chǎn)業(yè)和照明產(chǎn)業(yè)本是2個(gè)不同的領(lǐng)域，相遇在一起也需多所謀合。像照明產(chǎn)業(yè)常是家族企業(yè)、代代相傳，高度自制，LocalKing生態(tài)明顯，目前對LED新光源多采觀望態(tài)度，或投入少許資源試水溫，利潤高。而LED燈則還在春秋戰(zhàn)國時(shí)代，且燈具的流明輸出及各項(xiàng)光的質(zhì)量要求都還有很大的進(jìn)步空間，通路也不成熟，投入業(yè)者都還談不上賺取利潤。

LED的普及與價(jià)格有絕對的關(guān)系，目前LED燈泡零售價(jià)為20美元，白熾燈為1.5美元，預(yù)期價(jià)格下降到15美元，滲透率可達(dá)4%，降至7.5美元可達(dá)10%，3.75美元，也就是白熾燈的2.5倍，滲透率可達(dá)25%。

晶元光電致力于實(shí)現(xiàn)LED應(yīng)用無限可能，過去是第一家和三星合作，將LED使用在手機(jī)的廠商，應(yīng)用于筆記型計(jì)算機(jī)市占率也達(dá)50%，應(yīng)用于電視在韓國自給率還不高時(shí)也達(dá)50%，現(xiàn)在也在照明應(yīng)用上多所投入。

LED照明價(jià)格為何過高？分析LED照明的成本結(jié)構(gòu)可以得到較明確的方向，相對成本中以散熱和金屬鍵結(jié)所占比重最高，其次為驅(qū)動(dòng)器，再者為LED分Bin的成本。外界認(rèn)為LED晶粒價(jià)格過高是原因，其實(shí)長晶所占比重相當(dāng)小，甚至比現(xiàn)在價(jià)格上漲的螢光粉還要小。

美國能源署對LED訂定明確目標(biāo)，包括發(fā)光效率、價(jià)格，也包括螢光粉轉(zhuǎn)換等細(xì)節(jié)項(xiàng)目。目前冷態(tài)效率可達(dá)80%，但市場龐大的暖態(tài)則要再掉20%，剩下60%，因此要藉由許多技術(shù)開發(fā)尋求突破。

以800lm燈泡 試算，2010年發(fā)光效率100lm/W,依出光效率0.5(其它0.5為熱)、驅(qū)動(dòng)效率80%、光學(xué)效率80%、DELtaT106.3計(jì)算，輸入功率為12.5W,若依每年逐項(xiàng)效率改善的當(dāng)年?duì)顩r計(jì)算，到2015年發(fā)光效率150lm/W、出光效率0.75(其它0.25為熱)時(shí)，輸入功率為6.6W,產(chǎn)生的熱還不到2W(6.6x25%)，因此，現(xiàn)在很重要的散熱，在未來根本就不是問題。

LED燈具另一個(gè)問題在于使用，要能讓消費(fèi)者只要開或關(guān)就好，因此ACLED技術(shù)發(fā)展十分重要。但ACLED的橋式整流較貴，因此從整合性單芯片中拉出來變成單芯片外接橋式整流二極管，成為高壓(HV)LED,芯片適用于高電壓、低電流(不需變壓器)、因不具內(nèi)建橋式整流，可增加發(fā)光面積，AC、DC都適用，省功率也省成本，也適用于既有的調(diào)暗(Dimming)回路。

晶電并獨(dú)創(chuàng)藍(lán)光HVLED,為InGaNLED,亮度提升20%，還有紅光HVLED,為AlGaInPLED,可以將原本差距近30%的暖光和冷光縮短到相近，今年的研發(fā)目標(biāo)為130lm/W,2012年達(dá)到150lm/W以上，屆時(shí)散熱即可無為而治，不再是問題。