新世代的記憶體技術(shù)需要面臨新材料、新技術(shù)、新制程的開發(fā)挑戰(zhàn)，目前臺面上爭霸的技術(shù)包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM (Magnetic RAM)、R-RAM(Resistive Random-Access Memory)等架構(gòu)，之前最廣為討論的是PRAM，但國家奈米元件實驗室(NDL)博士何家驊則表示，R-RAM到了10奈米以下，會面臨物理瓶頸，R-RAM成主流的機率較大，且9奈米電阻式記憶體正式研發(fā)后，更證明RRAM是可行之道。

何家驊表示，下世代記憶體面臨的最大挑戰(zhàn)之一是半導(dǎo)體材料，像是MRAM最被外界質(zhì)疑的是材料難取得，R-RAM技術(shù)到了10奈米以下，會面臨物理瓶頸，目前NDL以R-RAM為基礎(chǔ)架構(gòu)研發(fā)出9奈米電阻式記憶體，已在12月8日美國舊金山舉行的國際會議IEDM中正式發(fā)表。

目前投入ReRAM技術(shù)國際大廠除了除了NDL之外，還包括英特爾(Intel)、新帝(SanDisk)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM等，目前NDL在ReRAM技術(shù)上的作法是采用氧化鎢的材料，像三星是用氧化鎳，也有業(yè)者用氧化銅等，目前各種材料的組合還再持續(xù)研發(fā)中。

NDL表示，9奈米R-RAM陣列晶胞容量比目前的快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍，是以操控氧原子近距離移動的創(chuàng)新技術(shù)，改變元? 饇O憶資訊而完成，突破開發(fā)10 奈米以下記憶體的技術(shù)瓶頸，希望5~10年內(nèi)進入量產(chǎn)。

現(xiàn)有浮動閘(Floating Gate)技術(shù)從90奈米、65奈米、45奈米= 32奈米，到2011年要走到22奈米制程，但在20奈米以下的物理瓶頸，恐將打破現(xiàn)有NAND Flash技術(shù)的游戲規(guī)則，這次NDL成功以R-RAM技術(shù)架構(gòu)開發(fā)9奈米的產(chǎn)品，來要再觀察業(yè)界趨勢是如何發(fā)展。

再者，NDL有意成立「16-8奈米元件聯(lián)盟」建立快閃記憶體技術(shù)和專利平臺，并廣邀記憶體廠和晶圓代工廠加入，效應(yīng)未來值得觀察，

NDL表示，臺灣DRAM業(yè)者每年要付給國際大廠約300億元的權(quán)利金，20奈米制程以上的技術(shù)也都被國際大廠把持，隨著NAND Flash技術(shù)瓶頸在20奈米制程以下浮現(xiàn)，也給臺灣發(fā)展的空間和機會。

目前記憶體廠方面，DRAM廠加入意愿還要再觀察，若是以付權(quán)利金的方式，目前大部分的DRAM廠都資金壓力龐大，是否會愿意投入戰(zhàn)局，還是疑問；而旺宏在下世代快閃記憶體技術(shù)耕耘頗深，且手上也有很多專利，是否會與「16-8奈米元件聯(lián)盟」合作，值得進一步注意。