據(jù)日媒報道，日本東北大學與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強度提高到了100μW，為原來產品的1萬倍，是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。

據(jù)研究小組介紹，制造LED元件時采用了MBE(分子束外延)法，并開發(fā)出了不使用自由基化氣體的摻雜(Doping)法。這樣有望采用量產性更高的MOCVD(有機金屬氣相沉積)法。目標用途是用于液晶顯示器的背照燈及照明燈的白色LED。

研究小組指出，采用紫外LED的白色LED，與搭配使用藍色LED與黃色熒光體的InGaN及GaN類白色LED相比，有望提高演色性及色再現(xiàn)性。

另外，該小組還稱，制造GaN類LED時很難采購到高品質的低價單晶底板，但ZnO類LED可輕松合成單晶底板。因此，有望以較低的成本量產采用單晶底板的LED元件，這種底板可使發(fā)光層與網(wǎng)柵輕松匹配。

東北大學川崎雅司教授表示，此項成果明確了追趕GaN類產品的前進道路。

編輯:Sophy