賽迪顧問表示，從2003年啟動國家半導(dǎo)體照明工程到現(xiàn)在，中國的led產(chǎn)業(yè)已經(jīng)獲得了長足的發(fā)展。2008年，受全球金融危機的影響，LED行業(yè)下游需求低迷，LED行業(yè)增長減慢。到2009年，由于國家的各項配套政策，LED行業(yè)的增長速度開始加快。2010年，下游的全彩色LED顯示屏，LED背光，LED驅(qū)動照明和其他應(yīng)用快速發(fā)展，推動中國LED產(chǎn)業(yè)（包括襯底，外延，芯片和封裝）的規(guī)模激增33.8％，達到294.6億元人民幣。同時，從2006年至2010年的年均復(fù)合增長率（CAGR）為18.7％。

近年來，由于技術(shù)落后和激烈的市場競爭，相比外延，芯片和封裝領(lǐng)域的快速發(fā)展，中國的襯底方面的發(fā)展一直比較緩慢。在2010年，由于很多藍寶石襯底項目仍在建或在設(shè)備測試（產(chǎn)能擴大受阻）過程中，導(dǎo)致藍寶石襯底的生產(chǎn)能力有限，因此襯底領(lǐng)域仍以低端產(chǎn)品為主。盡管如此，2010年中國襯底的產(chǎn)能增長了34.4％，達到352.5萬平方英寸，而年產(chǎn)值增長50.8％，達到1.4億元人民幣。

賽迪顧問表示，由國家半導(dǎo)體照明工程和國家863計劃的支持，中國的砷化鎵/磷化銦/ 磷化鎵襯底技術(shù)（應(yīng)用于紅色和綠色LED產(chǎn)品）取得重大進展。北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司，國瑞電子材料有限公司，中國電子科技集團公司第46研究所等企業(yè)已實現(xiàn)襯底的大規(guī)模生產(chǎn)。這些公司的LED襯底產(chǎn)量約占全國總量的30％，實現(xiàn)了上述襯底的自給自足。

2010年，下游LED背光源和LED照明快速發(fā)展，以及氮化鎵外延和芯片產(chǎn)能擴大，導(dǎo)致上游用于制造藍色和白色LED的藍寶石，碳化硅（SiC）以及氮化鎵（GaN）襯底供應(yīng)緊張，價格一路攀升。盡管研究這些材料的技術(shù)尚未成熟，加上高質(zhì)量人才短缺，但為了追求高額利潤，國內(nèi)許多企業(yè)在2010年繼續(xù)加大投入和引進關(guān)鍵技術(shù)，紛紛進入藍寶石襯底領(lǐng)域。這些企業(yè)大多位于東部沿海地區(qū)和西南，也有一些是在中國內(nèi)陸地區(qū)。

其中，天津賽法晶片技術(shù)，青島嘉星晶電科技已開始供應(yīng)藍寶石襯底產(chǎn)品。而四聯(lián)集團（2008年收購霍尼韋爾在加拿大的藍寶石襯底制造廠和技術(shù)而進入藍寶石襯底領(lǐng)域）正在重慶建設(shè)一個藍寶石襯底制造基地。到2010年底，四聯(lián)集團藍寶石襯底項目的第一階段已完成，開始小批量生產(chǎn)。

同時，云南藍晶科技，哈爾濱北極光光電科技有限公司等企業(yè)已小規(guī)模生產(chǎn)藍寶石襯底。歐亞彩虹光電科技，協(xié)鑫光電，和天通控股在2010年開始進入藍寶石晶體和襯底領(lǐng)域。而2011年浙江水晶光電和西安神光安瑞光電科技也緊隨其后進入藍寶石襯底領(lǐng)域。浙江東晶電子有限公司則對第一階段的項目進行升級改造，有望在2012年底將藍寶石晶圓產(chǎn)能擴大至750萬。

賽迪顧問估計，從產(chǎn)能擴張的速度來看，藍寶石襯底的供應(yīng)至少在未來三年仍會緊張。然而，進入2011年后，為擴大生產(chǎn)能力，企業(yè)大規(guī)模投資藍寶石襯底領(lǐng)域，藍寶石襯底產(chǎn)量在LED襯底總產(chǎn)量中所占比例大增，超過用于制造四元芯片產(chǎn)品的襯底的產(chǎn)量。

受益于中國下游應(yīng)用市場的快速發(fā)展，氮化鎵MOCVD設(shè)備從2009年以來在中國呈現(xiàn)爆炸性增長，大大增強中國LED產(chǎn)業(yè)外延領(lǐng)域的發(fā)展勢頭。2010年，MOCVD設(shè)備的裝機數(shù)量接近300臺，其中200多臺已開始投入生產(chǎn)。中國LED外延領(lǐng)域產(chǎn)值達到12.5億元人民幣，增加了78.4％。

　對于特殊應(yīng)用領(lǐng)域，AlGaInP外延（主要用于紅色LED）由于其穩(wěn)定的增長機制和材料特性，占據(jù)中國市場的主導(dǎo)位置。然而，由于該應(yīng)用市場相對成熟，需求越來越小，因此增長率遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后氮化鎵外延片。

在2010年，AlGaInP/ AlGaAs/GaAsP/GaP外延片的產(chǎn)量占外延片總產(chǎn)量的60.2％，相比2009年下降了15.8％。相比之下，受益于藍色和白色LED在景觀照明和背光源領(lǐng)域應(yīng)用迅速擴大，2010年氮化鎵外延片產(chǎn)量占中國總外延片產(chǎn)量的39.8％。據(jù)估計，2011年氮化鎵外延片的產(chǎn)量將超過AlGaInP外延片的產(chǎn)量。

賽迪顧問表示，制造普通亮度紅光LED的外延片，中國基本上能實現(xiàn)自給自足。但制造超高亮度紅光LED仍然依賴于臺灣地區(qū)和韓國進口的高質(zhì)量AlGaInP外延片。此外，由于國內(nèi)氮化鎵外延片產(chǎn)能有限，加上產(chǎn)品質(zhì)量低劣，因此國內(nèi)不得不進口氮化鎵外延片。

由于LED外延產(chǎn)品的生產(chǎn)需要投入大量資金，先進技術(shù)和經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員，大多數(shù)外延片制造商位于中國比較富裕的東部和南部地區(qū)。但隨著外延市場需求的擴大，新企業(yè)將陸續(xù)進入該領(lǐng)域，而現(xiàn)有的企業(yè)將致力于擴大產(chǎn)能。例如，三安光電已廈門之外的天津和安徽省蕪湖建立LED生產(chǎn)基地。同時，除了上海，廈門，揚州等地點，新踏足LED的企業(yè)已經(jīng)將目光轉(zhuǎn)到了中國中部。