IGZO TFT面板（右）與非晶硅TFT面板（左）耗電量的比較（攝影：夏普）
夏普將于2011年內(nèi)開始量產(chǎn)驅(qū)動元件采用非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）類氧化物半導(dǎo)體TFT（以下稱IGZO TFT）的液晶面板。這種面板是與日本半導(dǎo)體能源研究所共同開發(fā)的，為“全球首次實現(xiàn)量產(chǎn)”（夏普）。該公司計劃改造目前作為非晶硅TFT生產(chǎn)線的龜山第二工廠，生產(chǎn)用于智能手機和平板終端等的10英寸以下中小型面板。

龜山第二工廠此前一直生產(chǎn)主要用于電視機的大尺寸面板。由于大屏幕電視機市場行情惡化，而智能手機和平板終端的需求增加，因此夏普決定將龜山第二工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)中小型面板。另外，龜山第一工廠也已把生產(chǎn)設(shè)備出售給了中國的南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司，目前“正在引進新的中小型液晶面板生產(chǎn)設(shè)備”（夏普）注1）。夏普的目的是通過這些措施來強化中小型面板業(yè)務(wù)。

注1）關(guān)于龜山第一工廠的設(shè)備投資，曾有報道稱將由蘋果負(fù)擔(dān)。對此，夏普表示，“涉及特定客戶交易的內(nèi)容不予答復(fù)”。

以低成本生產(chǎn)高精細(xì)面板

盡管如此，龜山第二工廠仍無法直接生產(chǎn)超過200ppi的高精細(xì)面板。原因是非晶硅TFT的載流子遷移率較低，很難縮小TFT的尺寸。一般采用低溫多結(jié)晶硅（LTPS）TFT來生產(chǎn)高精細(xì)中小型面板，其載流子遷移率可達非晶硅TFT的100倍以上。

夏普表示，龜山第二工廠計劃采用的IGZO TFT“載流子遷移率比非晶硅TFT高出20～50倍，可將TFT縮小至1/5左右”（夏普）（表1）。通過提高像素的開口率，可實現(xiàn)低耗電和高精細(xì)。耗電量方面，作為10.8英寸、1366×800像素的試制面板，IGZO TFT面板約為非晶硅TFT面板的2/3。高精細(xì)度方面，“最高可達到300ppi”（夏普），接近該公司自主開發(fā)的LTPS TFT技術(shù)——“CG硅”TFT。



IGZO TFT與LTPS TFT相比，可進一步降低生產(chǎn)成本。原因是不需要像LTPS TFT那樣，通過激光退火處理來完成通道部分的結(jié)晶過程，所以更容易加大TFT特性不均現(xiàn)象較少的玻璃基板。夏普沒有公布制造工藝的詳細(xì)內(nèi)容，但表示“只需要改進龜山第二工廠的部分生產(chǎn)設(shè)備即可。使用第8代玻璃基板生產(chǎn)中小型面板，所以成本競爭力更高”。此外，IGZO TFT的技術(shù)還可用于有機EL面板。（記者：佐伯 真也）