京東方重點(diǎn)研發(fā)有源AMOLED驅(qū)動背板技術(shù)
[導(dǎo)讀]【賽迪網(wǎng)訊】AMOLED背板技術(shù)重點(diǎn)是要解決大尺寸化問題以及降低成本。
OLED顯示依據(jù)驅(qū)動方式不同,分為無源驅(qū)動OLED(PMOLED)和有源驅(qū)動OLED(AMOLED)兩類。與PMOLED相比,AMOLED具有更大的優(yōu)勢和更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。近
【賽迪網(wǎng)訊】AMOLED背板技術(shù)重點(diǎn)是要解決大尺寸化問題以及降低成本。
OLED顯示依據(jù)驅(qū)動方式不同,分為無源驅(qū)動OLED(PMOLED)和有源驅(qū)動OLED(AMOLED)兩類。與PMOLED相比,AMOLED具有更大的優(yōu)勢和更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。近年來的市場調(diào)查顯示,雖然OLED顯示市場在快速增長,但PMOLED的市場卻在縮小。而OLED顯示越來越頻繁地出現(xiàn)在人們視野中,OLED顯示技術(shù)越來越被接納作為新一代平板顯示技術(shù)。
積極開發(fā)非硅基TFT背板技術(shù)
與TFT-LCD的原理近似,AMOLED顯示是利用對應(yīng)每一個(gè)像素的薄膜晶體管(TFT)電路來控制作為像素的OLED單元發(fā)光,不同的是,AMOLED是通過控制流過OLED單元的電流發(fā)光的,因而對驅(qū)動像素的背板有著不同要求。對于AMOLED顯示來說,其驅(qū)動背板首先要求其上的TFT電路具有較大的電流通過能力,即要求TFT的溝道具有較高的載流子遷移率,通常認(rèn)為需要達(dá)到5cm 2/Vs以上,而且為保證對顯示效果的控制,還要求在背板上不同區(qū)域內(nèi)像素的TFT特性具有一致性和穩(wěn)定性。此外從生產(chǎn)制造、成本等來看,對TFT背板的制程工藝有著不同的要求。也正因?yàn)檫@些原因,使得AMOLED的驅(qū)動背板技術(shù)成為OLED器件技術(shù)外的另一大難點(diǎn),其難度遠(yuǎn)超過TFT-LCD的非晶硅TFT背板技術(shù)。AMOLED驅(qū)動背板技術(shù)的研發(fā)已是當(dāng)前AMOLED技術(shù)研發(fā)中最重要的方向。
可滿足AMOLED顯示的TFT背板技術(shù)包括硅基TFT和非硅基的新TFT技術(shù),其中硅基TFT中的低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)是目前最為成熟的、唯一用于量產(chǎn)的AMOLED用TFT背板技術(shù)。低溫多晶硅技術(shù)顯著的特點(diǎn)是其結(jié)晶化工藝的溫度低于600℃,按照引發(fā)硅結(jié)晶的方法或設(shè)備,主要分為固相晶化、激光晶化和金屬誘導(dǎo)晶化三類技術(shù),此外還有熱等離子噴射晶化等一些更實(shí)驗(yàn)室化的以及混合采用上述三種技術(shù)的多晶硅TFT技術(shù)。
硅作為使用最廣泛的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)成功地應(yīng)用在AMOLED顯示中,但即使是成功量產(chǎn)的LTPS背板技術(shù)仍有其局限,如大尺寸化、設(shè)備成本、產(chǎn)率、材料成本等,因此產(chǎn)業(yè)界在學(xué)術(shù)界研究的基礎(chǔ)上積極開發(fā)性能更好的非硅基TFT背板技術(shù)。 來源賽迪網(wǎng)-中國電子報(bào))
OLED顯示依據(jù)驅(qū)動方式不同,分為無源驅(qū)動OLED(PMOLED)和有源驅(qū)動OLED(AMOLED)兩類。與PMOLED相比,AMOLED具有更大的優(yōu)勢和更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。近年來的市場調(diào)查顯示,雖然OLED顯示市場在快速增長,但PMOLED的市場卻在縮小。而OLED顯示越來越頻繁地出現(xiàn)在人們視野中,OLED顯示技術(shù)越來越被接納作為新一代平板顯示技術(shù)。
積極開發(fā)非硅基TFT背板技術(shù)
與TFT-LCD的原理近似,AMOLED顯示是利用對應(yīng)每一個(gè)像素的薄膜晶體管(TFT)電路來控制作為像素的OLED單元發(fā)光,不同的是,AMOLED是通過控制流過OLED單元的電流發(fā)光的,因而對驅(qū)動像素的背板有著不同要求。對于AMOLED顯示來說,其驅(qū)動背板首先要求其上的TFT電路具有較大的電流通過能力,即要求TFT的溝道具有較高的載流子遷移率,通常認(rèn)為需要達(dá)到5cm 2/Vs以上,而且為保證對顯示效果的控制,還要求在背板上不同區(qū)域內(nèi)像素的TFT特性具有一致性和穩(wěn)定性。此外從生產(chǎn)制造、成本等來看,對TFT背板的制程工藝有著不同的要求。也正因?yàn)檫@些原因,使得AMOLED的驅(qū)動背板技術(shù)成為OLED器件技術(shù)外的另一大難點(diǎn),其難度遠(yuǎn)超過TFT-LCD的非晶硅TFT背板技術(shù)。AMOLED驅(qū)動背板技術(shù)的研發(fā)已是當(dāng)前AMOLED技術(shù)研發(fā)中最重要的方向。
可滿足AMOLED顯示的TFT背板技術(shù)包括硅基TFT和非硅基的新TFT技術(shù),其中硅基TFT中的低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)是目前最為成熟的、唯一用于量產(chǎn)的AMOLED用TFT背板技術(shù)。低溫多晶硅技術(shù)顯著的特點(diǎn)是其結(jié)晶化工藝的溫度低于600℃,按照引發(fā)硅結(jié)晶的方法或設(shè)備,主要分為固相晶化、激光晶化和金屬誘導(dǎo)晶化三類技術(shù),此外還有熱等離子噴射晶化等一些更實(shí)驗(yàn)室化的以及混合采用上述三種技術(shù)的多晶硅TFT技術(shù)。
硅作為使用最廣泛的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)成功地應(yīng)用在AMOLED顯示中,但即使是成功量產(chǎn)的LTPS背板技術(shù)仍有其局限,如大尺寸化、設(shè)備成本、產(chǎn)率、材料成本等,因此產(chǎn)業(yè)界在學(xué)術(shù)界研究的基礎(chǔ)上積極開發(fā)性能更好的非硅基TFT背板技術(shù)。 來源賽迪網(wǎng)-中國電子報(bào))





