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[導(dǎo)讀]【賽迪網(wǎng)訊】AMOLED背板技術(shù)重點是要解決大尺寸化問題以及降低成本。 OLED顯示依據(jù)驅(qū)動方式不同,分為無源驅(qū)動OLED(PMOLED)和有源驅(qū)動OLED(AMOLED)兩類。與PMOLED相比,AMOLED具有更大的優(yōu)勢和更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。近

【賽迪網(wǎng)訊】AMOLED背板技術(shù)重點是要解決大尺寸化問題以及降低成本。

OLED顯示依據(jù)驅(qū)動方式不同,分為無源驅(qū)動OLED(PMOLED)和有源驅(qū)動OLED(AMOLED)兩類。與PMOLED相比,AMOLED具有更大的優(yōu)勢和更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。近年來的市場調(diào)查顯示,雖然OLED顯示市場在快速增長,但PMOLED的市場卻在縮小。而OLED顯示越來越頻繁地出現(xiàn)在人們視野中,OLED顯示技術(shù)越來越被接納作為新一代平板顯示技術(shù)。

積極開發(fā)非硅基TFT背板技術(shù)

與TFT-LCD的原理近似,AMOLED顯示是利用對應(yīng)每一個像素的薄膜晶體管(TFT)電路來控制作為像素的OLED單元發(fā)光,不同的是,AMOLED是通過控制流過OLED單元的電流發(fā)光的,因而對驅(qū)動像素的背板有著不同要求。對于AMOLED顯示來說,其驅(qū)動背板首先要求其上的TFT電路具有較大的電流通過能力,即要求TFT的溝道具有較高的載流子遷移率,通常認為需要達到5cm 2/Vs以上,而且為保證對顯示效果的控制,還要求在背板上不同區(qū)域內(nèi)像素的TFT特性具有一致性和穩(wěn)定性。此外從生產(chǎn)制造、成本等來看,對TFT背板的制程工藝有著不同的要求。也正因為這些原因,使得AMOLED的驅(qū)動背板技術(shù)成為OLED器件技術(shù)外的另一大難點,其難度遠超過TFT-LCD的非晶硅TFT背板技術(shù)。AMOLED驅(qū)動背板技術(shù)的研發(fā)已是當(dāng)前AMOLED技術(shù)研發(fā)中最重要的方向。

可滿足AMOLED顯示的TFT背板技術(shù)包括硅基TFT和非硅基的新TFT技術(shù),其中硅基TFT中的低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)是目前最為成熟的、唯一用于量產(chǎn)的AMOLED用TFT背板技術(shù)。低溫多晶硅技術(shù)顯著的特點是其結(jié)晶化工藝的溫度低于600℃,按照引發(fā)硅結(jié)晶的方法或設(shè)備,主要分為固相晶化、激光晶化和金屬誘導(dǎo)晶化三類技術(shù),此外還有熱等離子噴射晶化等一些更實驗室化的以及混合采用上述三種技術(shù)的多晶硅TFT技術(shù)。

硅作為使用最廣泛的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)成功地應(yīng)用在AMOLED顯示中,但即使是成功量產(chǎn)的LTPS背板技術(shù)仍有其局限,如大尺寸化、設(shè)備成本、產(chǎn)率、材料成本等,因此產(chǎn)業(yè)界在學(xué)術(shù)界研究的基礎(chǔ)上積極開發(fā)性能更好的非硅基TFT背板技術(shù)。 來源賽迪網(wǎng)-中國電子報)



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