在“十一五”國家863計劃新材料領(lǐng)域項目的支持下，由中國科學院半導體研究所承擔的“高效氮化物LED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團隊項目課題，通過技術(shù)輻射和轉(zhuǎn)移、人才培養(yǎng)以及國際交流合作等方式，實現(xiàn)了先進技術(shù)的引進、消化、吸收、再創(chuàng)新，從而提高了中國半導體照明產(chǎn)業(yè)的國際競爭能力，推動了中國半導體照明工程的實施。該課題近日順利通過驗收。

“高效氮化物LED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團隊，在人才培養(yǎng)和團隊建設(shè)等方面做出了積極的探索，通過加強科技創(chuàng)新團隊管理，引進了數(shù)名國家“千人計劃”、中國科學院“百人計劃”及“國家杰出青年”獲得者，培養(yǎng)了數(shù)十名年輕人才，形成了百余人的學科交叉、具有前沿探索能力和工程化、產(chǎn)業(yè)化背景的高水平半導體照明人才隊伍。

針對中國節(jié)能減排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團隊建成了從半導體照明重大裝備、材料外延、芯片開發(fā)到高效大功率封裝及測試分析的完整柔性半導體照明工藝平臺，具有靈活的研發(fā)能力與工程化示范能力。

該創(chuàng)新團隊還形成了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的重要研究成果，并制定了相關(guān)技術(shù)標準。在中國率先突破以氮化物為主的半導體外延材料生長及摻雜、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及機理驗證、測試及封裝等關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)了150lm/w以上的LED高效發(fā)光;成功制備了中國首個300nm以下室溫熒光發(fā)光的深紫外UVLED器件，并實現(xiàn)了器件功率的毫瓦級輸出;研制開發(fā)了中國首臺48片MOCVD樣機，經(jīng)第三方檢測，設(shè)備外延的氮化鎵材料，各項性能指標達到了同類國際MOCVD設(shè)備的水平。

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