日前，日立電線株式會社宣布成功開發(fā)出在藍(lán)寶石基板上生長的高品質(zhì)氮化鎵(GaN)單晶薄膜的GaN范本全新量產(chǎn)技術(shù)，并已開始銷售。

透過將該產(chǎn)品用作“白色LED磊晶”的底層基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生產(chǎn)效率及LED特性。因此，對于業(yè)界競爭十分激烈的白色LED制造商而言，該產(chǎn)品可望成為有效提升產(chǎn)業(yè)地位的解決方案。

白色LED磊晶的生長次數(shù)每天最多1～2次，如何實現(xiàn)高效率的生產(chǎn)方式，一直是個待解決的難題。為了解決這一課題，該公司開發(fā)出了采用MOVPE法生長的底層基板所使用的GaN范本。

GaN范本采用在藍(lán)寶石基板上生長n型GaN層的結(jié)構(gòu)。透過采用GaN范本，LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長制程，生長所需要的時間也將降至原來的一半左右。另外，采用該公司生產(chǎn)的GaN范本，還可以同時實現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性，也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。