2013年5月14日下午，在由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟與英國勵展博覽集團共同主辦的“2013上海國際新光源&新能源照明論壇”之 “新光源&新能源照明的應(yīng)用”分會上，來自晶能光電有限公司孫錢博士做了題為《硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》的報告，他從高質(zhì)量、無裂紋的硅襯底氮化鎵LED外延技術(shù)高效、散熱好的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片技術(shù)；45 mil的硅襯底LED芯片在350mA下達(dá)到142lm/W；硅襯底LED的LM80可靠性測試；熒光粉直涂工藝技術(shù)提高封裝效率；6英寸大尺寸硅襯底氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)LED的低成本優(yōu)勢、及研發(fā)結(jié)果等幾個方面，介紹了硅襯底上氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)大功率LED解決方案，以及一些關(guān)鍵器件性能和特點。

晶能光電有限公司孫錢博士

孫博士指出現(xiàn)在業(yè)界做LED采用硅襯底是因為硅作襯底與藍(lán)寶石作襯底相比具有襯底材料便宜、硅襯底的散熱系數(shù)較大、有大尺寸8-12寸的硅襯底、我國自主知識產(chǎn)權(quán)、襯底剝離容易、可利用IC行業(yè)折舊的設(shè)備工藝線等優(yōu)勢。但硅作襯底也有難點：1、大晶格失配17%：很高的缺陷密度，降低LED光效 ；2、熱膨脹系數(shù)的大失配54%：外延膜在降溫過程中產(chǎn)生裂紋，嚴(yán)重影響材料質(zhì)量和器件性能 ；3、金屬鎵與硅襯底的化學(xué)反應(yīng) 4、高溫外延過程中片子彎曲度大。

而在硅襯底上外延生長GaN的主要難點：1、GaN與硅之間的17%大晶格失配: 很高的缺陷密度；2、 54%的熱膨脹系數(shù)的大失配: 外延膜在降溫過程中產(chǎn)生裂紋；3、金屬Ga直接與硅襯底接觸時會有化學(xué)回融反應(yīng)。

晶格失配會造成很大的缺陷密度，性能效率就會受到影響，晶格失配就是質(zhì)量問題。難點是熱膨脹系數(shù)的上升，因為在高溫的時候，外延生長的時候，降溫從1000多度降到10的過程中，收縮比較快，但氮化鎵就返過來了，硅不讓它收縮，相當(dāng)于把襯底向外很大的張拉力，拉扯會像一個碗一樣，最后會產(chǎn)生裂紋。對于這個問題，孫博士介紹利用在硅，積累一個壓應(yīng)力把它塞進(jìn)去，抵消降溫產(chǎn)生的張應(yīng)力，就會變成平的。

而對于硅跟藍(lán)寶石的差別，孫博士指出藍(lán)寶石優(yōu)點是五面儲光，硅不會進(jìn)入襯底，光只是單面儲光，硅是一個冷波峰波，冷波峰就是光每個角度看的時候它是一個很均勻的分布，所以優(yōu)點就是很均勻，很適合聚光，二次光很容易配。另外硅的導(dǎo)熱系統(tǒng)比較好，PE型進(jìn)一步降低它的散熱成本，也利于做熒光粉直涂工藝。

最后孫博士認(rèn)為，藍(lán)寶石2寸，肯定往自動化、大尺寸、大規(guī)模走，國內(nèi)目前三安做得很好，現(xiàn)在東芝進(jìn)入了，三星也在做。而對于硅襯底，克服硅襯底技術(shù)的難題，設(shè)備產(chǎn)生裂紋的問題，6英寸研發(fā)進(jìn)展還需加快。