IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫，是一種薄膜電晶體技術(shù)，在TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。IGZO技術(shù)由夏普(Sharp)掌握，是與日本半導(dǎo)體能源研究所共同開發(fā)的產(chǎn)品。
IGZO的載子移動率大約為10cm2/Vs， 臨界電壓飄移幾乎一致。IGZO技術(shù)可提高面板性能、降低成本，但I(xiàn)GZO技術(shù)對光、水以及氧都相當(dāng)敏感，長時(shí)間 使用之可靠度與穩(wěn)定性，亦須增強(qiáng)。
IGZO與非晶矽相比，IGZO能夠縮小電晶體尺寸，可提高液晶面板畫素的開口率，較易實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化，解析度高出一倍，電子遷移率快十倍，將簡單的外部電路整合至面板之中， 使移動裝置更輕薄，耗電量也降至2/3。
IGZO面板結(jié)構(gòu)


隨智慧型手機(jī)與平板電腦等應(yīng)用市場興起，250ppi以上的面板需求增加，面板廠投入LTPS TFT生產(chǎn)，但LTPS TFT制程較復(fù)雜及良率低，面板廠則轉(zhuǎn)投入IGZO面板。

另一方面，相較于OLED，面板功耗與OLED接近，成本較低，厚度比OLED高25%，解析度達(dá)Full HD級別程度。
夏普(Sharp)已率先量產(chǎn)IGZO，三星、LGD等亦開始生產(chǎn)。
DisplaySearch預(yù)估2012年高遷移率TFT-LCD背板產(chǎn)量預(yù)計(jì)將提高150%，從2011年的560萬平方公尺迅速發(fā)展到1,410萬平方公尺。
2008~2015年LTPS和IGZO高解析度背板的產(chǎn)量

來源：NPDDisplaySearch，