工研院于12/3與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表雙方合作開發(fā)、可應(yīng)用于未來軟性顯示器的半導(dǎo)體氧化物電晶體陣列技術(shù)（IGZO, In-Ga-Zn-OTFT），這項創(chuàng)新開發(fā)的IGZO TFT陣列技術(shù)系采≦200°C低溫制程，具備高撓曲特點，曲率半徑≦1公分，已克服傳統(tǒng)電晶體高溫制程熱脹冷縮造成的位移及基板變形情形。工研院表示，這項研究成果獲得第19屆全球顯示技術(shù)研討會（International Display Workshops , IDW`12）入選論文殊榮，并受邀于12/4研討會中發(fā)表。
工研院進(jìn)一步說明，傳統(tǒng)的電晶體是在380°c高溫制程中進(jìn)行，在矽晶圓（Wafer）或玻璃等堅固材質(zhì)上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導(dǎo)體制程，在矽晶圓上制作出極小的微結(jié)構(gòu)。而工研院這次所開發(fā)的IGZO TFT陣列，使用塑膠基板及低溫≦200°C制程，讓電晶體在低溫制程中，仍具有好的電流開關(guān)比特性。同時因整合元件結(jié)構(gòu)，在制程中溫度升高時，電晶體與塑膠基板兩個不同材質(zhì)即使發(fā)生熱脹冷縮不一致的應(yīng)力問題，軟性基板在制作過程中也不易破裂，并使軟性基板在制程中維持其平坦性及透明度，易于制作高撓曲TFT背板。
工研院開發(fā)的新氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù)，已整合應(yīng)用于基板大廠KANEKA的軟性塑膠（Polyimide, PI）基板，經(jīng)過雙方合作驗證，成功克服應(yīng)力所造成元件特性失效的技術(shù)挑戰(zhàn)，并且實現(xiàn)高撓曲氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù)（曲率半徑≦1公分）。而透過合作調(diào)整，KANEKA公司還發(fā)展出大于85%高透明度、低熱膨脹（<10 ppm /°c）及高耐熱溫度（>300 °c）特性的基板。
工研院預(yù)期，這項新氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù)將可廣泛應(yīng)用于軟性有機(jī)發(fā)光顯示器AMOLED、軟性LCD（液晶顯示器）或軟性EPD（電子紙顯示器）、軟性O(shè)LED Lighting等等產(chǎn)品，加速實現(xiàn)手機(jī)、電腦或電視等產(chǎn)品朝向更輕薄、柔軟及可彎曲等設(shè)計發(fā)展，為軟性電子應(yīng)用開啟新應(yīng)用。