LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 日本上市公司薩姆肯（Samco）發(fā)布了新型晶片盒生產(chǎn)蝕刻系統(tǒng) ，處理SiC加工，型號為RIE-600iPC。

系統(tǒng)主要應(yīng)用在碳化硅功率儀器平面加工、SiC MOS結(jié)構(gòu)槽刻蝕形成晶圓刻蝕SiC和SiO2掩膜刻蝕。

新系統(tǒng)是以用來研發(fā)和半生產(chǎn)的RIE-600iP平臺為基礎(chǔ)的，該平臺技術(shù)已被證明。

碳化硅是耐壓的寬能隙半導(dǎo)體，能在高溫下順利運(yùn)作，加工面對的挑戰(zhàn)有側(cè)壁平滑保護(hù)、高刻蝕率條件下的刻蝕剖面，同時(shí)要維持足夠高的刻蝕掩面選擇性。

RIE-600iPC 生產(chǎn)刻蝕系統(tǒng)

RIE-600iPC系統(tǒng)在高真空條件下采用大功率高密度射頻電漿（高達(dá)3kW）Tornado ICP線圈專利技術(shù)?？烧{(diào)節(jié)高度下電極和高容量真空泵（1，300公升/秒）使得碳化硅刻蝕加工快速、具有良好的均勻性，并且新型系統(tǒng)為客戶提供寬敞的加工窗口。

系統(tǒng)的真空盒室艙同時(shí)支持25個(gè)6英寸晶圓，經(jīng)由轉(zhuǎn)換室/加載互鎖真空室自動(dòng)傳遞晶圓到處理室。真空盒室艙提供更高的加工和生產(chǎn)效率。

薩姆肯公司在碳化硅和相關(guān)物質(zhì)國際會(huì)議上介紹了RIE-600iPC新型系統(tǒng)，這個(gè)會(huì)議在日本宮崎市鳳凰喜凱亞度假村舉行。

薩姆肯公司是一家為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供刻蝕、CVD和清洗系統(tǒng)的供應(yīng)商，已經(jīng)著眼于成為下一代功率設(shè)備處理儀器的領(lǐng)先供應(yīng)商。