中國上海，2013年11月4日訊——恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的晶體管。全新產(chǎn)品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產(chǎn)品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于空間受限的便攜式應用中的電源管理和負載開關，這是因為外形大小、功率密度和效率在這些應用中都是極為關鍵的因素。

恩智浦半導體公司晶體管產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封裝內(nèi)達到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過這一里程碑式的突破，恩智浦會繼續(xù)挑戰(zhàn)MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限?！?/p>

DFN1010B-6

DFN1010D-3

全新產(chǎn)品系列采用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具有可焊鍍錫側焊盤的特性。這些側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無鉛封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好，因此能滿足嚴格的汽車要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空間僅為1.1-mm，是雙晶體管可采用的最小封裝。

采用DFN1010封裝的產(chǎn)品可以替代許多WL-CSP器件。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝（例如達到其八倍體積的SOT23），同時提供同等甚至更為出色的性能。

全新產(chǎn)品組合的主要特點：

1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝

功耗(Ptot) 最高達到1 W

采用可焊鍍錫側焊盤，貼裝性能更好，符合汽車應用要求

單通道和雙通道MOSFET（N溝道/P溝道）

RDSon值低至34mOhm

ID最高達到3.2 A

電壓范圍為12 V至80 V

1 kV ESD保護

低VCEsat (BISS)單晶體管

VCEsat 值低至70 mV

集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A

VCEO范圍為30 V至60 V

符合AEC-Q101標準

雙通道NPN/PNP配電阻（數(shù)字）晶體管（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準）

通用單晶體管和雙晶體管

上市時間

采用DFN1010封裝的全新晶體管現(xiàn)已量產(chǎn)，即將上市。

鏈接

恩智浦的低RDSon MOSFET：www.nxp.com/group/12065

恩智浦的低VCEsat晶體管：www.nxp.com/group/10921

有關采用DFN1010B-6封裝的通用晶體管的產(chǎn)品信息：www.nxp.com/pip/BC847QAPN

有關DFN1010B-6封裝的RET（數(shù)字晶體管）的產(chǎn)品信息：www.nxp.com/pip/PQMD12

MOSFET DFN封裝選擇器： www.nxp.com/ultra-small-mosfets/packages

有關DFN1010D-3 (SOT1215)的封裝信息：www.nxp.com/packages/SOT1215.html

有關DFN1010B-6 (SOT1216)的封裝信息：www.nxp.com/packages/SOT1216.html

關于恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 致力于為智能世界提供安全互聯(lián)的解決方案。基于高性能混合信號的專業(yè)性，恩智浦在汽車、智能識別和移動行業(yè)，以及無線基礎設施、照明、醫(yī)療、工業(yè)、個人消費電子和計算等應用領域不斷創(chuàng)新。公司在全球逾25個國家都設有業(yè)務執(zhí)行機構，2012年公司營業(yè)額達到43.6億美元。更多信息請登錄www.nxp.com 查詢。