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[導(dǎo)讀]中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件量產(chǎn) 中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S060

中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件量產(chǎn)

中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品鑒定會(huì)暨新產(chǎn)品信息發(fā)布會(huì)20日在北京舉行。鑒定委員會(huì)認(rèn)為該公司的量產(chǎn)工藝方法、產(chǎn)品性能達(dá)到了國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。

據(jù)悉,經(jīng)過兩年攻關(guān),泰科天潤(rùn)研發(fā)的碳化硅肖特基二極管多個(gè)產(chǎn)品已成功量產(chǎn),產(chǎn)品涵蓋600V—3300V等中高壓范圍。其中,600V/10A、1200V/20A等產(chǎn)品成品率達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

總經(jīng)理陳彤介紹,利用碳化硅單晶襯底和外延材料(行情 專區(qū))制作的電力(行情 專區(qū))電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作,“與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅電力芯片能夠大幅度減少電力設(shè)備體積和重量,能大幅降低各項(xiàng)設(shè)備系統(tǒng)的整體成本并提高系統(tǒng)的可靠性”。

數(shù)據(jù)表明,屬于“寬禁帶”的第三代半導(dǎo)體的碳化硅,大功率在降低自身功耗的同時(shí),提高系統(tǒng)其他部件的功效,可節(jié)能20%至90%。

中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)常務(wù)副理事長(zhǎng)肖向鋒指出,這一成果對(duì)于煤炭、石油(行情 專區(qū))等資源越發(fā)緊缺的中國(guó)具有現(xiàn)實(shí)意義。

“為應(yīng)對(duì)能源危機(jī),國(guó)家提出節(jié)能減排,電能的輸送、分配都離不開電力電子技術(shù)”,肖向鋒解釋說,現(xiàn)有的電子技術(shù)基于半導(dǎo)體硅材料器件,但受制于硅材料的物理性能,器件功耗大。碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)無疑可解“燃眉之急”。

“我國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)整體落后美、歐、日等發(fā)達(dá)國(guó)家,關(guān)鍵技術(shù)裝備基本依賴國(guó)外”,陳彤在受訪時(shí)說,但在第三代半導(dǎo)體器件方面,國(guó)內(nèi)研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)已有趕超之勢(shì)。

他認(rèn)為這得益于政府導(dǎo)向,國(guó)家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域以及科技支撐計(jì)劃能源領(lǐng)域在2014年度備選項(xiàng)目征集指南中指明,要開展第三代半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)、器件制備及研制電力電子芯片和器件等科研計(jì)劃。他們的“碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化投資項(xiàng)目”也已被北京市海淀區(qū)向市科委推薦,申報(bào)“重大科技成果轉(zhuǎn)化落地培育”專項(xiàng)資金。

肖向鋒亦提出三點(diǎn)要求,“提高自己團(tuán)隊(duì)的技術(shù)水平,提高研發(fā)能力,健全生產(chǎn)線”。他希望以此為契機(jī),將預(yù)計(jì)達(dá)千億元規(guī)模的中國(guó)碳化硅器件產(chǎn)業(yè)做起來。

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