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[導(dǎo)讀] 經(jīng)過(guò)2013年下半年的努力,華上光電在2013年底成功地推出超高亮度紅光與黃光的silicon基板LED,此款晶片是利用華上光電所擁有的專 利“雷射切割silicon技術(shù)” 所產(chǎn)出高信賴性的晶片。2014年初華上光電繼續(xù)

經(jīng)過(guò)2013年下半年的努力,華上光電在2013年底成功地推出超高亮度紅光與黃光的silicon基板LED,此款晶片是利用華上光電所擁有的專 利“雷射切割silicon技術(shù)” 所產(chǎn)出高信賴性的晶片。2014年初華上光電繼續(xù)乘勝追擊,在獨(dú)家擁有的MOLY(MOLYBDENUM)基板專利技術(shù)上有了進(jìn)一步的突破。相較于 GaAS與Silicon為材料的基板,MOLY基板在導(dǎo)熱能力上更好,配合磊晶技術(shù)與光罩的全新設(shè)計(jì),使成品晶片的電流傳導(dǎo)更為平穩(wěn)。加上MOLY為金 屬材質(zhì)的天生優(yōu)勢(shì),延展性較其它材料的基板來(lái)的更好,大大的解決了封裝廠在固晶、打線、切割…等制造時(shí)會(huì)造成晶片破裂的困擾,也解決LED成品長(zhǎng)時(shí)間使用 晶片易裂而影響產(chǎn)品光電性的問(wèn)題。

814晶片(14mil)、820晶片(20mil)、842晶片(42mil)

抗電壓能力,以14mil晶片為例。相較于一般常用的GaAS基板或Silicon基板的晶片在長(zhǎng)時(shí)間抗電壓能力大多在70mA以內(nèi)。而MOLY基 板的晶片長(zhǎng)時(shí)間抗電壓能力可承受到100mA甚至150mA,在高功率的建筑照明與車用照明上有極大的優(yōu)勢(shì)。此款晶片實(shí)際測(cè)出的亮度可達(dá)到 ”800mcd”,與其它臺(tái)灣一線大廠的同尺寸晶片相比較,可說(shuō)是目前市面上最亮的晶片。而該系列產(chǎn)品推出后,吸引了不少下游封裝廠高度的詢問(wèn)。

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