高亮度LED制造如今是否應該更加重視工藝控制?如果答案是肯定的，那么我們該從傳統(tǒng)的硅基集成電路制造中學到什么經驗?

第一個問題的答案很明確：只需權衡工藝控制的益處和需要付出的設備與人力成本即可。工藝控制的益處包括改善成品率與可靠性、縮短生產周期、以及加快新產品的上市速度。如果將工藝控制的成本考慮在內，這些益處就會一并轉化為更好的盈利能力，可見，加強對工藝控制的重視很有意義。

讓我們從 LED 基板和外延層的缺陷率開始討論。最先進的 LED 器件采用藍寶石 (Al2O3) 基板;在拋光的藍寶石基板的上表面，氮化鎵 (GaN) 的外延層是以金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD) 生長的。

外延是在一種晶體材料頂上生長另一種晶體材料薄膜的技術，這樣晶格就會彼此相配，至少會非常相似。如果外延薄膜的晶格常數與底層材料不同，這種不相配就會在薄膜中產生應力。氮化鎵與藍寶石之間存在著大量的晶格不相配 (13.8%)，因此，氮化鎵“外延層”是一種高應力薄膜。外延薄膜的應力能夠增加電子/空穴的遷移率，從而提高器件性能;但另一方面，處在應力下的薄膜往往會存在大量缺陷。

外延層沉積之后的常見缺陷包括隱凹、隱裂、六角形凸起、月牙、圓圈、蓮蓬頭微滴和局部表面粗糙。凹坑經常出現在 MOCVD 工藝期間，且與因晶片由中心向邊緣翹曲而導致的溫度梯度相關。大的凹坑會導致 P-N 結短路，造成器件故障。亞微米凹坑甚至更加隱匿，它允許器件最初能夠通過電性測試，但在器件老化之后卻會導致可靠性問題?？煽啃詥栴}往往出現在實際應用時，與通常在工廠內測試時檢測到的成品率問題相比，會造成更大損失。另一種缺陷是來自因薄膜應力而引起的隱裂，這也將會導致實際應用時的嚴重損失。

高端 LED 制造商通常會檢測外延后的晶片，記錄所有大小超過約 0.5mm 的缺陷。一個個虛擬的器件單元被疊加在晶片上，任何含有嚴重缺陷的虛擬單元都將被篩除。這些單元中如果有凹坑則會失效，如果有裂紋，則面臨較高風險的可靠性問題。在許多情況下，幾乎所有邊緣單元都會報廢。特別是用于汽車或固態(tài)照明設備的高端 LED，絕對不容許出現缺陷，也就是說此類設備的可靠性必須非常高。

然而，外延后檢測所發(fā)現的缺陷并非全部緣于 MOCVD 工藝。有時候，問題要歸咎于藍寶石基板。如果 LED 制造商希望改善成品率或可靠性，那么了解問題的來源則非常重要。

藍寶石基板本身可能含有多種缺陷類型，包括在切割和拋光時顯露出來的藍寶石晶體凹坑;表面拋光時造成的擦傷;拋光膏或清潔工藝留下的殘渣;以及通過清洗可以清除或不能清除的顆粒。當基板上存在這些缺陷時，它們在氮化鎵外延生長期間可能會被擴大，導致外延層出現缺陷，并最終影響器件的成品率或可靠性。

圖案化藍寶石基板 (PSS) 是專為在高亮度 LED 設備中提高發(fā)光效率而設計的基板，因其在外延之前采用了標準的光刻與蝕刻工藝，從而在基板表面形成了規(guī)則的鼓包陣列。盡管使用 PSS 方法可以減少位錯缺陷，但是缺失的鼓包或鼓包之間的橋接在氮化鎵層沉積之后會變成六角形和月牙形缺陷，這些缺陷一般是成品率的致命威脅。

為了改善成品率與可靠性，LED 制造商需要按照類型和大小準確說明基板的最大缺陷率—前提是可以按照那些規(guī)格制造基板，并且不會令其售價過高而抵銷改善成品率的益處。LED 制造商還可從日常的來料品質管控 (IQC) 缺陷檢測中收益，從而確?；迥軌蚍掀湟?guī)格—包括缺陷的類型和大小。

當基板大小改變時，例如當前從 4 英吋 LED 基板轉變?yōu)?6 英吋 LED 基板時，則應該徹底檢測基板缺陷率。從歷史來看，即使是在硅行業(yè)，當基板制造商面對更大、更重的晶體帶來的機械、熱力及其他工藝挑戰(zhàn)時，因更大的基板尺寸而引起的晶體缺陷增加也是其最初的困擾。

在 LED 基板與外延層制造期間，進行有效缺陷控制的進一步的考慮就是缺陷的分類。了解缺陷是凹坑還是顆粒，比僅僅知道缺陷的數量要更加有助于解決問題。(基板上的擦傷、裂紋和殘渣更容易根據其空間特征而被識別。)先進的缺陷檢測系統(tǒng)，例如 KLA-Tencor 的 Candela 產品，是設計為包含多個入射角(垂直、傾斜)和多個檢測通道(鏡面、“形貌”、相位)，有助于自動將缺陷分為各種類型。