1、什么是外延和外延片?

外延也稱為外延生長，是制備高純微電子復合材料的一工藝過程，就是在單晶(或化合物)襯底材料上淀積一層薄的單晶(或化合物)層。新淀積的這層稱為外延層。淀積有外延層的襯底材料叫外延片。

　　2、哪些材料可以用作生長外延層的襯底材料，它們各自有哪些優(yōu)缺點?

用得最廣泛的襯底材料是砷化鎵，可用于生長外延層GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其優(yōu)點是由于GaAs的晶格常數(shù)比較匹配可制成無位錯單晶，加工方便，價格較便宜。

缺點是它是一種吸光材料，對PN結(jié)發(fā)的光吸收比較多，影響發(fā)光效率。

磷化鎵可生長GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的頂層，其優(yōu)點是它是透明材料，可制成透明襯底提高出光效率。

生長InGaN和InGaAlN的襯底主要有藍寶石(Al2O3)、碳化硅和硅。藍寶石襯底的優(yōu)點是透明，有利于提高發(fā)光效率，目前仍是InGaN外延生長的主要襯底。

缺點是有較大的晶格失配;硬度高，造成加工成本高昂;熱導率較低，不利于器件的熱耗散，對制造功率LED不利。碳化硅襯底有較小的晶格失配，硬度低，易于加工，導熱率較高，利于制作功率器件。

　　3、LED的發(fā)光有源層?PN結(jié)是如何制成的?哪些是常用來制造LED的半導體材料?

LED的實質(zhì)性結(jié)構是半導體PN結(jié)。PN結(jié)就是指在一單晶中，具有相鄰的P區(qū)和N區(qū)的結(jié)構，它通常在一種導電類型的晶體上以擴散、離子注入或生長的方法產(chǎn) 生另一種導電類型的薄層來制得的。

常用來制造LED半導體材料主要有砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷、磷砷化鎵、銦鎵氮、銦鎵鋁磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物半導體材料，其它還有Ⅳ族化合物半導體碳化硅， Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化鋅等。

　　4、MOCVD是什么?

MOCVD是Metel-Organic Chemical Vapor Deposition的簡稱，即金屬有機物化學氣相淀積，它是外延生長的一項技術，它是利用特制的設備，以金屬有機物源(MO源)作原料，用氫氣或氮氣作 為載氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與Ⅴ族的氫化物混合，再通入反應室，在加熱的襯底表面發(fā)生反應，外延生長化合物晶體薄膜。

由于MOCVD的晶體生長反應是在熱分解中進行的，所以又叫熱分解法。經(jīng)實用表明，這是一種具有高可靠性、控制厚度精確、組成摻雜濃度精度高、垂直性好、 靈活性大。目前是生產(chǎn)AlGaInP紅色和黃色 LED和InGaN藍色、綠色和白色LED的可工業(yè)化方法。現(xiàn)人們通常也把這種特制的設備籠統(tǒng)地叫作MOCVD。