2013年對觸控面板市場是一個非常具重大意義的一年。從這一年起，觸控面板產(chǎn)業(yè)開始全面檢討、試驗性的采用ITO薄膜的替代材料，即非ITO薄膜材料（AgNanowire、MetalMesh、AgMesh、AgHalide、銀納米粒子等）。

目前為止，觸控面板主要應(yīng)用于智能手機、平板電腦、筆記本、ATM以及導(dǎo)航機等屏幕尺寸較小的設(shè)備上。但最近隨著在一體電腦、電子白板、大尺寸的筆記本電腦等設(shè)備上開始采用觸控UI，但由于屏幕越大所需要處理的數(shù)據(jù)量也會增加，因此透明電極的電阻值變得更加重要。

目前在透明電極上廣泛使用在透明的氧化銦上涂覆錫的ITO（IndiumTinOxide），但使用ITO涂覆在玻璃基板上的時候起電阻值一般能達到50~60歐姆,而涂覆在薄膜基板的的話，量產(chǎn)產(chǎn)品最多能達到100歐姆以內(nèi)的電阻值。

如觸控面板采用電阻值比ITO薄膜低的ITO玻璃，在20~30英寸產(chǎn)品上可充分實現(xiàn)觸控功能。但玻璃式的觸控面板具有重厚、設(shè)計自由度低以及易破碎的風(fēng)險，再來大片（sheet）式的生產(chǎn)工藝存在著生產(chǎn)性低等諸多缺點，因此觸控面板產(chǎn)業(yè)為了替代玻璃，正在嘗試多種努力。尤其在大尺寸的屏幕上不太適用采用電阻值高的ITO薄膜，因此已開始在大尺寸屏幕采用ITO薄膜替代材料（事實上，與其說這為了替代ITO玻璃或者薄膜，不如說是替代又沉又不便使用的ITO玻璃更為確切）。另外，由于ITO上的銦屬稀土類金屬，供應(yīng)有限且價格昂貴，而這也是欲替代ITO的原因之一。

與此同時，觸控面板的價格正持續(xù)快速下滑，對光學(xué)特性的要求也較過去寬松許多。因此，各觸控面板相關(guān)企業(yè)在摸索規(guī)格與成本兼顧的方案，進而影響電容式觸控面板在結(jié)構(gòu)上發(fā)生諸多變化。過去外掛式觸控面板大部分仍以GG（Coverglass+ITO玻璃感測器）方式或GFF（Coverglass+2張ITO薄膜感測器）方式占據(jù)著，而目前則采用可進一步提高生產(chǎn)效率、低成本、優(yōu)異的光學(xué)特性、重量與厚度方面更加有利的諸多結(jié)構(gòu)方式產(chǎn)品。簡而言之，藉減少ITO感測層結(jié)構(gòu)來達到降低或減少工藝、材料費以及厚度。代表性結(jié)構(gòu)如下：GG、G1/G2、GFF、GF2、GF1、G1F、in-cell/on-cell等。

由于這些市場變化因素，預(yù)計未來ITO薄膜在面積方面的需求將被替代性薄膜替代，以及感測層結(jié)構(gòu)的變化使得ITO薄膜的整體成長率將逐漸萎縮。另外，由于在中國正在進行大規(guī)模的ITO薄膜產(chǎn)線投資，因此ITO薄膜的價格也將快速回落。