東芝電子歐洲（TEE）近日推出采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程研發(fā)的第二代LETERASTM白光LED，相比當下的LED器件，1W TL1F2系列的LED是具有成本競爭優(yōu)勢的，可為通用和工業(yè)LED照明制造商降低成本。

高性能白光LED通常被以相對??小的100mm或150mm晶圓尺寸組裝在昂貴的藍寶石襯底上制備在。與此相反，東芝研發(fā)了一項制作工藝，可以采用更具成本效益的200毫米的硅晶片制造氮化鎵LED。采用更具成本競爭力的硅襯底代替昂貴的藍寶石襯底，這有助于降低成本，同時利用現(xiàn)有的硅制造設施。

相比TL1F1系列，通過優(yōu)化封裝和增加硅基氮化鎵LED芯片的光輸出后的TL1F2系列白色LED的發(fā)光效率有所提高。該TL1F2系列提供了從2700K到6500K的完整的相關色溫（CCT）范圍，兩極點相關色溫下的最低顯色性指數(shù)（CRI）分別為80和70。1W LED的光通量范圍為104流明到135流明，這取決于色溫和顯色指數(shù)。

新器件采用標準的6450封裝，尺寸為6.4毫米x5.0毫米x1.35毫米。額定驅動電流（IF）為350mA，額定正向電壓（VF）為2.85V，幫助設計人員降低系統(tǒng)功耗。工作溫度范圍為-40°C至100°C，這使得TL1F2系列均適用于室內和室外應用序，如燈泡，天花板照明，路燈，泛光燈。TL1F2系列將于2013年11月批量生產的。