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[導(dǎo)讀]東芝電子歐洲(TEE)近日推出采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程研發(fā)的第二代LETERASTM白光LED,相比當(dāng)下的LED器件,1W TL1F2系列的LED是具有成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的,可為通用和工業(yè)LED照明制造商降低成本。 高性能白光LED通常被

東芝電子歐洲(TEE)近日推出采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程研發(fā)的第二代LETERASTM白光LED,相比當(dāng)下的LED器件,1W TL1F2系列的LED是具有成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的,可為通用和工業(yè)LED照明制造商降低成本。

高性能白光LED通常被以相對(duì)??小的100mm或150mm晶圓尺寸組裝在昂貴的藍(lán)寶石襯底上制備在。與此相反,東芝研發(fā)了一項(xiàng)制作工藝,可以采用更具成本效益的200毫米的硅晶片制造氮化鎵LED。采用更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的硅襯底代替昂貴的藍(lán)寶石襯底,這有助于降低成本,同時(shí)利用現(xiàn)有的硅制造設(shè)施。

相比TL1F1系列,通過(guò)優(yōu)化封裝和增加硅基氮化鎵LED芯片的光輸出后的TL1F2系列白色LED的發(fā)光效率有所提高。該TL1F2系列提供了從2700K到6500K的完整的相關(guān)色溫(CCT)范圍,兩極點(diǎn)相關(guān)色溫下的最低顯色性指數(shù)(CRI)分別為80和70。1W LED的光通量范圍為104流明到135流明,這取決于色溫和顯色指數(shù)。

新器件采用標(biāo)準(zhǔn)的6450封裝,尺寸為6.4毫米x5.0毫米x1.35毫米。額定驅(qū)動(dòng)電流(IF)為350mA,額定正向電壓(VF)為2.85V,幫助設(shè)計(jì)人員降低系統(tǒng)功耗。工作溫度范圍為-40°C至100°C,這使得TL1F2系列均適用于室內(nèi)和室外應(yīng)用序,如燈泡,天花板照明,路燈,泛光燈。TL1F2系列將于2013年11月批量生產(chǎn)的。

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