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[導讀]全球第一顆兼具低功率高速度SRAM 臺北消息,臺灣最大半導體公司臺積電以最先進的0.15微米制程技術(shù)和鈺創(chuàng)科技 攜手研發(fā)成功世界上最小的800萬位元低功率靜態(tài)隨機存儲器(Low Power SRAM),這 也是

全球第一顆兼具低功率高速度SRAM 
臺北消息,臺灣最大半導體公司臺積電以最先進的0.15微米制程技術(shù)和鈺創(chuàng)科技
攜手研發(fā)成功世界上最小的800萬位元低功率靜態(tài)隨機存儲器(Low Power SRAM),這
也是全球第一顆能兼具低功率及高速度的SRAM,預計在今年第三季度可以正式進入量
產(chǎn)。
鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示,這款新產(chǎn)品是目前市場中最領(lǐng)先的,在1.5至1.8
伏特低功率下,仍有相當于3伏特產(chǎn)品執(zhí)行速度,在進入量產(chǎn)及商品化階段將更具市場競
爭力。
此項產(chǎn)品主要可用在高級無線應用協(xié)議的應用商品,并協(xié)助系統(tǒng)業(yè)者跨入更先進的
e-WAP 時代。
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