今天，OKI公司宣布將開始預(yù)備為無(wú)線基站研制的增強(qiáng)型偽同晶高電子遷移率氮化鎵晶體管(GaN-HEMT)。這種晶體管的使用，將有效降低3G移動(dòng)電話和PHS基站以及城域網(wǎng)基站的規(guī)模與能耗。

    GaN-HEMT擁有3-10W/mm的高輸出功率密度，是傳統(tǒng)增強(qiáng)型偽同晶高電子遷移率砷化鎵晶體管(GaAs-HEMT)的十倍，從而使得晶體管尺寸大大減小。就以前的一般情況而言，電功率總是與多枚晶體管結(jié)合在一起接收高輸出的，然而，內(nèi)嵌GaN-HEMT后，每枚晶體管的輸出功率變大了，使用的晶體管數(shù)目自然就變少了，從而傳輸電路以及外圍電路的尺寸也相應(yīng)減少了。

    GaN-HEMT能承受的電壓量是GaAs-HEMT的3到5倍。從另外一個(gè)角度來(lái)看，因?yàn)楣ぷ麟娏鹘档土?/3-1/5，使得外圍設(shè)備上的能耗也減少了，整個(gè)電路的能耗也就降低了。

    OKI公司成功研制了工作于7.8W/mm高輸出功率密度的GaN-HEMT樣品，其飽和功率達(dá)到了50.2W，更重要的是其體積僅僅是同類產(chǎn)品的1/9。此外，其鄰信道泄漏功率比（ACPR）（功率晶體管的性能指標(biāo)之一）達(dá)到了-55dBC的低指數(shù)，是3G移動(dòng)電話基站標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的信號(hào)幅度的1/10。

    OKI計(jì)劃測(cè)試成功后于2006年初試銷該產(chǎn)品，并于2006年下半年開始大批量生產(chǎn)。OKI的目標(biāo)是，到2008年，在全世界范圍內(nèi)成功開拓30%的GaN高頻功率設(shè)備市場(chǎng)。