在近日舉行的2010年世界移動通信大會上，GLOBALFOUNDRIES和ARM 公司共同發(fā)布了其尖端片上系統(tǒng)平臺技術的新的細節(jié)，該平臺技術專門針對下一代無線產(chǎn)品和應用。全新的芯片制造平臺預計能使計算性能提高40%，功耗降低30%，并將待機電池壽命提高100%。這一新的平臺包括兩種GLOBALFOUNDRIES的工藝：針對移動和消費應用的28nm超低功耗（SLP）工藝和針對要求最高性能的應用的28nm高性能（HP）工藝。

GLOBALFOUNDRIES首席運營官謝松輝表示：“下一代移動產(chǎn)品的成功將越來越取決于是否能夠提供PC級的性能、高度整合的、豐富的多媒體體驗和更長的電池壽命。這就要求一個強大的技術基礎，同時需要行業(yè)領袖密切合作，從而讓更多的設計公司有能力進行創(chuàng)新。我們與ARM密切合作，以我們在大量生產(chǎn)先進技術產(chǎn)品上公認的制造經(jīng)驗，共同優(yōu)化用于Cortex-A9處理器的物理IP和實現(xiàn)，為尖端的無線產(chǎn)品和應用提供一個完全集成的平臺?！?/p>

ARM和GLOBALFOUNDRIES的SoC平臺式基于ARM Cortex- A9處理器、優(yōu)化的ARM物理IP和GLOBALFOUNDRIES的28nm 先加工柵極（Gate-First）High-KMetal Gate（HKMG）工藝。ARM和GLOBALFOUNDRIES將共同幫助智能手機、智能本、平板電腦等嵌入式設備制造商滿足日益增長的設計和制造復雜性，同時縮短成熟期的批量生產(chǎn)時間。GLOBALFOUNDRIES預計將在2010年下半年在德國德累斯頓Fab 1啟動使用這些下一代技術進行制造生產(chǎn)。

隨著“智能”移動產(chǎn)品市場不斷擴大，移動應用渴求更強大的性能以實現(xiàn)持續(xù)創(chuàng)新，這一需求日益凸顯。相較于以往的40/45nm技術，GLOBALFOUNDRIES的28nm工藝及其Gate-First HKMG技術能夠提供卓越的性能收益。根據(jù)目前的預計，28nm HKMG在相同的溫度范圍（thermal envelope）內(nèi)提高約40%的計算性能，改善移動設備的應用性能，強化多任務處理能力。GLOBALFOUNDRIES有能力將這一技術迅速推向市場，而客戶在廣泛采用的Gate-First方法中的獲益，現(xiàn)在也能在 HKMG工藝中取得。Gate-First方法得到了許多全球最大的IDM和無晶圓設計公司的廣泛行業(yè)支持。

同時，每一代新技術都需要提高功耗效率，以提供更長通話/待機、多媒體播放以及互動游戲和圖像時間。與40/45nm工藝相比，ARM IP和GLOBALFOUNDRIES 28nm HKMG工藝的結合能夠提升30%的功耗效率，并將待機電池壽命延長了100%。

ARM總裁Tudor Brown表示：“過渡到28nm技術節(jié)點將會是無線技術的一個重要轉折點。我們和GLOBALFOUNDRIES的合作能夠幫助客戶以28nm HKMG技術將高性能、低功耗的基于ARM技術的設計迅速地推向市場，而這一28nm HKMG技術目前已經(jīng)能夠滿足量產(chǎn)的需求。GLOBALFOUNDRIES的技術、領先的ARM物理IP解決方案和ARM處理器所具備的完整互聯(lián)網(wǎng)功能，這三者的結合形成了一個強大的處理技術、圖像以及功耗效率的集合體?！?/p>

GLOBALFOUNDRIES是全球領先的代工廠，擁有采用HKMG技術制造高性能集成處理器的豐富經(jīng)驗。這些經(jīng)驗將使得采用28納米工藝的客戶能夠享有行業(yè)領先的快速投入批量生產(chǎn)的能力。

除了與GLOBALFOUNDRIES的合作，ARM還與IBM聯(lián)合發(fā)展聯(lián)盟（IBM Joint Development Alliance）中的其他成員建立了戰(zhàn)略合作關系，以推動根據(jù)HKMG工藝對處理器和物理IP進行優(yōu)化的進程。在剛剛結束的世界移動通信大會上，ARM展出了第一個使用HKMG技術的28nm晶圓，展示了與代工廠合作伙伴在加速下一代片上系統(tǒng)轉向更先進的節(jié)點方面所取得的優(yōu)勢和成就。