終端決定商用速度：TD-LTE駛?cè)肟燔嚨?/h1>
在近幾年的北京國(guó)際信息通信展中，LTE是當(dāng)之無愧的主角。尤其是TD-LTE，作為我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的下一代通信技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。
2010年的展會(huì)上，各參展商重點(diǎn)對(duì)TD-LTE的“快”進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)演示。其中，多路高清視頻傳輸展現(xiàn)了TD-LTE超快的傳輸速度，在線互動(dòng)游戲展示了TD-LTE的低時(shí)延、反應(yīng)快。2011年展會(huì)召開恰逢TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)第一階段結(jié)束，各參展商重點(diǎn)展示了規(guī)模試驗(yàn)中取得的一項(xiàng)項(xiàng)成果，展現(xiàn)了TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展之快。
進(jìn)入2012年，在中國(guó)移動(dòng)提出TD-LTE發(fā)展三年計(jì)劃的激勵(lì)下，TD-LTE發(fā)展速度進(jìn)一步加快，TD-LTE已經(jīng)進(jìn)入發(fā)展的快車道。
最明顯的用戶體驗(yàn)是“快”
相比3G，LTE最明顯的特征是“快”。這種快得益于頻譜效率的提高，表現(xiàn)為更高的上下行速率。在單載波的情況下，如果使用20MHz+20MHz的帶寬，F(xiàn)DD LTE下行峰值速率可以達(dá)到150Mbps。而TD-LTE在使用20MHz(3：1時(shí)隙配比)的情況下，下行峰值速率能夠達(dá)到110Mbps。如果引入載波聚合，TD-LTE聚合20MHz+20MHz的情況下，下行峰值速率可以達(dá)到220Mbps。不論是110Mbps還是220Mbps，TD-LTE的峰值速率都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了目前國(guó)內(nèi)最快HSPA+的21.6Mbps。
事實(shí)上，記者曾多次體驗(yàn)TD-LTE的高速，由于具體環(huán)境和網(wǎng)絡(luò)配置存在差異，TD-LTE的平均下行速率在50Mbps至80Mbps之間。相比3G，TD-LTE在用戶體驗(yàn)方面的提高給人留下了深刻的印象，其最突出的特點(diǎn)就是“快”。下載一部高清電影只需要幾分鐘，下載一首歌曲只需要幾秒鐘，在線觀看高清視頻絲毫不需要緩沖。
產(chǎn)業(yè)鏈駛?cè)肟燔嚨?/strong>
TD-LTE雖然速度很快，但在國(guó)際上卻面臨同樣很快的FDD LTE的強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)。目前，全球已經(jīng)有49個(gè)國(guó)家的100家運(yùn)營(yíng)商推出了商用LTE服務(wù)，而部署TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營(yíng)商僅為11家。要想趕上發(fā)展的時(shí)間窗口，TD-LTE必須加快發(fā)展步伐。
縱觀TD-LTE一年來的發(fā)展歷程，與TD-SCDMA當(dāng)年的發(fā)展速度相比，已經(jīng)快了很多。2012年年初，中國(guó)移動(dòng)高調(diào)宣布了TD-LTE三年部署計(jì)劃：到2014年，全球建成超過50萬個(gè)TD-LTE基站，截至2012年底，將在國(guó)內(nèi)建設(shè)超過2萬個(gè)TD-LTE基站。這無疑為產(chǎn)業(yè)鏈吃下了定心丸。
2012年5月，大部分設(shè)備廠商都已經(jīng)完成了規(guī)模試驗(yàn)第二階段的測(cè)試，達(dá)到了預(yù)期的測(cè)試目標(biāo)。隨即中國(guó)移動(dòng)在全國(guó)開啟了多張TD-LTE體驗(yàn)網(wǎng)，高清視頻會(huì)議、即攝即傳等富媒體應(yīng)用被集中展示。7月，中國(guó)移動(dòng)香港有限公司宣布將在香港建設(shè)FDD LTE及TD-LTE無縫雙制式融合網(wǎng)絡(luò)。目前，擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)絡(luò)招標(biāo)項(xiàng)目已經(jīng)啟動(dòng)，規(guī)模試驗(yàn)城市增加到13個(gè)。
一年來，TD-LTE經(jīng)歷了大跨步的發(fā)展。關(guān)于下一步的擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)，工業(yè)和信息化部電信研究院王志勤表示，第一，要實(shí)現(xiàn)TD-LTE擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)絡(luò)與TD-SCDMA現(xiàn)網(wǎng)的功能業(yè)務(wù)、多模終端、互操作和KPI等，推進(jìn)產(chǎn)品成熟;第二，與現(xiàn)有核心網(wǎng)、網(wǎng)管、計(jì)費(fèi)等系統(tǒng)的融合測(cè)試，面向友好用戶的網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量和業(yè)務(wù)質(zhì)量測(cè)試，提升用戶體驗(yàn);第三，對(duì)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、規(guī)劃優(yōu)化、業(yè)務(wù)開發(fā)和運(yùn)營(yíng)維護(hù)中的關(guān)鍵問題，開展相關(guān)研究驗(yàn)證，為商用積累經(jīng)驗(yàn);第四，實(shí)現(xiàn)祖沖之算法完整性保護(hù)、增強(qiáng)型智能天線自適應(yīng)、LTE支持IPv6、等級(jí)4終端、新型天線等驗(yàn)證應(yīng)用。
終端決定商用速度
如果說TD-LTE正在沖刺商用，那么決定TD-LTE能否達(dá)到商用要求的那個(gè)關(guān)鍵因素是終端。目前TD-LTE終端主要以數(shù)據(jù)卡、MiFi、CPE等為主，缺乏商用的手機(jī)。而這主要受制于終端芯片的發(fā)展。目前，40納米芯片工藝的處理能力能夠支持TD-LTE數(shù)據(jù)卡終端的使用，但用于手機(jī)終端時(shí)功耗仍然偏大。在實(shí)驗(yàn)室中，采用40納米工藝的LTE終端芯片的耗電量約為目前3G商用終端的2倍。
因此，發(fā)展28納米工藝的TD-LTE芯片成為目前亟待解決的問題。根據(jù)初步數(shù)據(jù)，28納米芯片能夠節(jié)省20%的耗電，而且仍具有優(yōu)化空間。但目前28納米芯片因其成本高昂，還不具備大規(guī)模量產(chǎn)的能力。尤其是國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)在設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造等方面與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)仍有一定的差距，迫切需要攻克28納米芯片工藝的技術(shù)難點(diǎn)。業(yè)內(nèi)專家預(yù)計(jì)，2013年的Q3/Q4有望實(shí)現(xiàn)包括TD-SCDMA/TD-LTE在內(nèi)的28納米多模工程樣片多廠商供貨，2014年中爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)TD-LTE的28納米多模芯片的基本商用化和多廠商供貨。
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