在6月4-9日舉行的國際微波研討會(International Microwave Symposium)上，全球領(lǐng)先高功率RF功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(NASDAQ:NXPI)，在第1132號展臺演示全新的5G蜂窩基站概念，以及其他多種創(chuàng)新型蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施解決方案和技術(shù)。此外，在會議期間，恩智浦還將通過參加八次研討會和論文陳述，貢獻(xiàn)豐富的技術(shù)內(nèi)容。

恩智浦資深副總裁兼射頻業(yè)務(wù)總經(jīng)理Paul Hart表示：“就對社會的影響而言，在可預(yù)見的未來，5G很可能成為我們親眼見證的最偉大技術(shù)創(chuàng)新，打造未來的互聯(lián)世界。60多年以來，恩智浦一直致力于在這個領(lǐng)域銳意創(chuàng)新。在今年的IMS會議上，我們將非常榮幸地演示我們的新型GaN和硅LDMOS產(chǎn)品。”

構(gòu)建5G基礎(chǔ)設(shè)施

隨著互聯(lián)設(shè)備和智能應(yīng)用的數(shù)量日益增長，恩智浦提供了專門用途的功率放大器(PA)解決方案，旨在滿足5G新無線(NR)的尺寸、功率和頻段要求。最新發(fā)布的IHS Markit研究表明，到2035年，5G移動技術(shù)可能實現(xiàn)12.4萬億美元的全球經(jīng)濟(jì)輸出。頂級蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施OEM已經(jīng)在他們的5G NR產(chǎn)品設(shè)計中采用了恩智浦的RF高性能蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品和技術(shù)。有關(guān)恩智浦的5G產(chǎn)品開發(fā)的詳細(xì)信息，請訪問www.nxp.com/5Gradio。

推動下一代氮化鎵(GaN)技術(shù)從藝術(shù)成為主流

隨著高頻段的頻譜擴(kuò)展，我們需要更大的帶寬來聚合不同頻段的更多載波，這些因素加快了GaN技術(shù)在基站無線電領(lǐng)域的采用。ABI研究表明，在2017年，GaN RF功率器件預(yù)期將在移動無線基礎(chǔ)設(shè)施的所有高功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中占據(jù)接近25%的比例。隨著5G NR標(biāo)準(zhǔn)的采用，GaN技術(shù)有望在今后得到更廣泛應(yīng)用。

恩智浦致力于成功部署業(yè)界最佳GaN技術(shù)。從2015年到2016年，恩智浦的GaN射頻晶體管產(chǎn)品增加了一倍以上。恩智浦將在2017年繼續(xù)增加GaN產(chǎn)品，不僅能夠更好地服務(wù)于蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施市場，還提供面向工業(yè)和國防市場的不同功率范圍的全套GaN產(chǎn)品系列。有關(guān)恩智浦的GaN技術(shù)功能的詳細(xì)信息，請訪問www.nxp.com/RFGaN。在IMS會議上，恩智浦在其展臺上演示GaN技術(shù)領(lǐng)域的最新創(chuàng)新。

恩智浦Airfast第三代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)產(chǎn)品

RF Si-LDMOS產(chǎn)品仍然在蜂窩基站中得到了最廣泛的應(yīng)用。恩智浦擁有可觀的市場份額，在業(yè)界占據(jù)領(lǐng)先地位，并在每一代LDMOS產(chǎn)品系列中都取得了重大進(jìn)步。最新一代產(chǎn)品實現(xiàn)了顯著的性能改進(jìn)，包括在效率、增益、熱性能和信號帶寬方面。這些增強(qiáng)旨在滿足面向5G的下一代宏基站和智能移動性解決方案的要求。恩智浦小型基站解決方案增加覆蓋面和容量

除了宏基站之外，無線運營商還必須使用小型基站實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)密集化，目標(biāo)是增加下一代網(wǎng)絡(luò)的覆蓋面、容量和速度。恩智浦提供的小型基站解決方案，高集成度，外形尺寸小巧，從而實現(xiàn)了這些系統(tǒng)級改進(jìn)。恩智浦提供完整的高功率對稱IC和非對稱IC產(chǎn)品系列，頻率從700至3800 MHz不等，適用于3G、4G到5G的部署。