回看2013年，從TD-SCDMA到TD-LTE，由我國自主標準推動的TD產(chǎn)業(yè)已走過了15年的崢嶸歷程。在這條中國謀取國際電信業(yè)話語權(quán)的道路上，我國芯片產(chǎn)業(yè)也從2G時代“無芯”，到3G時代“有芯”，并在4G時代努力實現(xiàn) “強芯”的飛躍。

過去，芯片一直是制約TD-SCDMA發(fā)展的關(guān)鍵因素之一，但在2013年，經(jīng)過TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)發(fā)展的培育洗禮以及3G市場競爭的歷練，我國芯片產(chǎn)業(yè)逐步發(fā)展壯大，這一瓶頸問題基本得到了根本解決。而隨著TD-LTE商用化進程的推進，以及最終4G牌照的發(fā)放，我國TD芯片產(chǎn)業(yè)正進入新一輪黃金發(fā)展期。

如何把握這一黃金發(fā)展時期，成為中洋芯片廠商的思考，同時，在市場的變換滌蕩中，海內(nèi)外廠商的格局與前景也經(jīng)歷一番洗禮和變革，使得國芯片廠商迎來逆襲的機會，能否真正實現(xiàn)涅槃，還在于技術(shù)水平的提升、專利的儲備以及產(chǎn)品演進研發(fā)的布局等。

嬗變的市場：TD芯片迎歷史發(fā)展拐點

談起TD芯片市場，不得不先說TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)，在TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，芯片可謂整個產(chǎn)業(yè)鏈中最薄弱的環(huán)節(jié)。但在2013年，TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈終于完成了對WCDMA和CDMA2000的追趕和超越，特別是在最為薄弱的終端與芯片環(huán)節(jié)完成了反超。同時，隨著4G牌照的發(fā)放，芯片廠商對支持TD-LTE的LTE芯片的開發(fā)加大，同時在2G、3G、4G融合發(fā)展的態(tài)勢下，又促進了芯片廠商對TD-SCDMA的支持。

TD-SCDMA芯片

TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈的飛速發(fā)展得益于中國移動的大力推動。據(jù)了解，中國移動 2013年TD-SCDMA主設(shè)備招標，規(guī)模高達11.3萬個基站，是自2007年TD-SCDMA建設(shè)以來規(guī)模最大的一次招標。幾年來，中國移動TD-SCDMA累計網(wǎng)絡(luò)投資已超過1800億，終端補貼也超過300億，總計2100億元，目前仍在持續(xù)投入。

在中國移動的大力推動下，TD-SCDMA在芯片、終端等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均取得了長足的進步，市場進入快速增長期。中國移動集團終端公司品質(zhì)保障部副總經(jīng)理穆家松公布的一組數(shù)據(jù)，凸顯了TD市場的變化：2013年上半年TD入網(wǎng)手機達到598款，是同期WCDMA手機的2.1倍，是CDMA EVDO手機的5.3倍；TD終端總銷量達6800萬，單月銷量均超1000萬。

這也極大促進了國內(nèi)外芯片廠商對TD-SCDMA芯片的研發(fā)與支持熱情。例如，國內(nèi)TD-SCDMA核心芯片商聯(lián)芯科技今年發(fā)布首款TD-SCDMA四核智能手機芯片LC1813以及首款四核平板電腦芯片LC1913。國外博通大中華區(qū)總裁兼全球銷售副總裁李廷偉表示：“由于中國移動的手機需要支持TD-SCDMA，所以會把TD-SCDMA模塊放進已有的四模芯片中，讓它變成五模。”

TD-LTE芯片

與此同時，2013年是TD-LTE發(fā)展的關(guān)鍵時期， TD-LTE技術(shù)和產(chǎn)業(yè)逐步邁向成熟，具備規(guī)模發(fā)展條件。在中國移動TD-LTE“雙百”計劃的帶動下，在最終4G牌照發(fā)放的促進下，目前，全球有超過17家芯片企業(yè)投入LTE芯片的開發(fā)，遠高于2G和3G時代數(shù)量。

就目前而言，國內(nèi)外廠商在LTE芯片，尤其是對支持TD-LTE的LTE芯片上的開發(fā)上可謂不遺余力。從國際來看，高通已推出支持全球所有移動通信制式以及超過40個頻段的LTE終端芯片及解決方案。Marvell的多模多頻Modem芯片PXA1802已經(jīng)量產(chǎn)， PXA1088 LTE版成熟方案平臺今年年內(nèi)也將量產(chǎn)，它將是業(yè)界首款面向大眾市場的四核“五模十三頻”Cat4LTE單芯片解決方案。

從國內(nèi)來看，我國海思已推出支持五模的LTE終端芯片，展訊、聯(lián)芯科技、中興微電子的多模芯片也已達到商用化水平，其中，聯(lián)芯科技推出全模SoC智能手機芯片采用28nm工藝，將助力終端客戶實現(xiàn)從3G到支持全球LTE的4G制式的無縫遷移，進一步邁向全球市場。聯(lián)發(fā)科年底推出了LTE modem，同時支持LTE FDD與TD-LTE，2014年上半年，基于四核或八核AP+4G Modem解決方案將進入量產(chǎn)，最終4G SoC將于下半年量產(chǎn)。

多變的格局：中洋廠商技術(shù)專利爭端

隨著TD芯片市場的崛起，以往對TD芯片靜觀其變的國際大廠商如高通、英特爾、Marvell、博通開始積極投身，而聯(lián)發(fā)科、海思、聯(lián)芯科技、中興微電子等國內(nèi)廠商也在奮起直追。

2013年，中洋廠商的競相布局，幾經(jīng)潮起潮落，有的被拆分如意法愛立信，有的被收購如展訊，有的轉(zhuǎn)型如聯(lián)發(fā)科，為TD芯片市場格局存在多變的未知之數(shù)埋下伏筆。同時，促成目前芯片市場廠商格局多變的現(xiàn)狀，很大成因在于海內(nèi)外廠商在TD芯片技術(shù)與核心專利上的較量。

技術(shù)爭端

據(jù)了解，為更好滿足多網(wǎng)運營和國際漫游的需求，多模多頻已成為運營商對LTE芯片的要求之一，尤其是中國移動，甚至將“五模十頻”作為采購的硬性技術(shù)指標要求。在今年首批16萬部TD-LTE終端招標中，絕大多數(shù)國內(nèi)芯片廠商因此拒之門外，促成了高通一家獨大。

這引起了業(yè)界極大爭議。業(yè)內(nèi)人士評論，這不利于TD-LTE芯片產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展；且無形之中推高了成本，阻礙了TD-LTE終端的普及，與中移動意圖迅速推動TD-LTE網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模商用的意愿相違。

事實上，國內(nèi)芯片廠商通過不斷研發(fā)，已經(jīng)完全能夠?qū)崿F(xiàn)GSM/TD-SCDMA/TD-LTE等模式的三模芯片成熟商用。TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長楊驊就曾指出，TD-LTE終端市場無需五模“一刀切”，在國內(nèi)芯片企業(yè)五模產(chǎn)品還不成熟的時候，要有三模產(chǎn)品的發(fā)展空間。

中國移動也意識到高門檻導致TD-LTE終端舉步維艱，開始調(diào)整策略，不再堅持“五模十頻”的硬指標，開始引入“三模”產(chǎn)品。從“五模”降到“三模”，會極大的影響TD-LTE芯片供應格局，讓苦苦追趕的國內(nèi)芯片廠商，迎頭趕上發(fā)展的良好機遇。

專利爭端

此外，國家發(fā)改委還宣布啟動對高通的反壟斷調(diào)查，如果反壟斷調(diào)查結(jié)果成立，高通公司可能面臨最高12.3億美元的罰款。一時間，這個在3G時代叱咤風云，擁有絕對主導權(quán)的芯片公司陷入被動，也讓其在中國4G時代下的發(fā)展前景變得撲朔迷離。

雖然國家發(fā)改委未明確解釋對高通公司展開反壟斷調(diào)查的真正原因，但有觀點認為，這或?qū)⑴c高通公司針對國內(nèi)不同客戶，在收取專利費時區(qū)別對待，采取不同的計價方式有關(guān)。也有傳言稱，目前正值高通公司與國內(nèi)終端廠商進行4G技術(shù)專利授權(quán)的關(guān)鍵時刻，而高通公司表現(xiàn)出的強硬態(tài)度或許是點燃此次反壟斷調(diào)查的“導火索”之一。

不過不管是什么原因，對于國產(chǎn)芯片廠商發(fā)展都將帶來利好。有研究指出，本次反壟斷調(diào)查能延緩高通在新一代通訊技術(shù)發(fā)展之際對于芯片與技術(shù)的進一步滲透，給予國內(nèi)芯片廠商更多的時間和更寬裕的環(huán)境，研發(fā)、制造來提升實力及市場份額。

有關(guān)專家強調(diào)，4G時代，TD-LTE或?qū)⑶藙忧|產(chǎn)業(yè)鏈，國內(nèi)芯片企業(yè)應抓住機遇，加大自主研發(fā)力度，掌握更多核心專利技術(shù)，擺脫2G、3G時代受制于人的局面。

演進的未來：技術(shù)產(chǎn)品不斷與時俱進

國內(nèi)外芯片廠商尤其是國內(nèi)芯片廠商要想在未來芯片市場上占據(jù)一席之地，開發(fā)工作必須要與新技術(shù)和新標準同步進行，同時不斷提高芯片高集成度、高性能以及降低成本和功耗。

工藝制程

雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關(guān)鍵。在3G時代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。

但隨著TD—LTE時代的到來，多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，聯(lián)芯科技總經(jīng)理助理、大唐電信集團首席專家劉光軍指出，未來LTE芯片在工藝上要加速向28nm、20nm甚至更先進工藝演進，同時要求更先進的封裝技術(shù)。單芯片SoC、系統(tǒng)級封裝有助于實現(xiàn)芯片的小型化，進一步降低成本。

產(chǎn)品標準

除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發(fā)展來看，TD-LTE智能終端還需應用處理器具備強大的數(shù)據(jù)與多媒體處理能力。聯(lián)發(fā)科技中國區(qū)總經(jīng)理章維力就表示，在4G時代，數(shù)據(jù)流量的爆發(fā)和智能手機多媒體化的發(fā)展成為主流特征，具有強大數(shù)據(jù)和多媒體能力的智能手機芯片將是市場發(fā)展的主要方向。

同時，雖然國內(nèi)外廠商在LTE芯片領(lǐng)域高歌猛進，但Marvell移動產(chǎn)品總監(jiān)張路指出：“根據(jù)ITU的定義，4G應該是在定點狀況，下載速率達1Gbps；在高速移動狀況，下載速率達100Mbps。TDD和FDD技術(shù)都可以滿足ITU 4G的標準。LTE只是邁向4G的第一步，以后會是LTE-Advanced。LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用，中國芯片廠商需做相應的技術(shù)儲備和產(chǎn)品研發(fā)。”

而對于LTE的后續(xù)演進，章維力指出，聯(lián)發(fā)科會密切觀察和參與LTE-A技術(shù)標準的制定，跟隨運營商在LTE-A技術(shù)演進的步伐。在研發(fā)方面，芯片廠商應該做好無線技術(shù)方面的準備，同時也要面對超寬帶無線技術(shù)對手機整體系統(tǒng)芯片帶來的挑戰(zhàn)。