旨在推動非存儲器領(lǐng)域的核心產(chǎn)品系統(tǒng)LSI技術(shù)革新的、韓
國產(chǎn)業(yè)資源部與科學(xué)技術(shù)部的聯(lián)合項目——“系統(tǒng)集成半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)事業(yè)”的第四年度于今
年6月結(jié)束，從7月1日該項目已進入第五年度。


在第五年度中，韓國政府計劃在共計35個項目中投入389億
7300萬韓元(約合人民幣2.74億元)。系統(tǒng)LSI領(lǐng)域?qū)⒓虚_發(fā)高性能嵌入式處理器、微型計算機、
0.18μm EML設(shè)計技術(shù)和面向通信用途的LSI技術(shù)等。另外，還將通過銅布線技術(shù)、高介電質(zhì)材料
和薄膜分析技術(shù)等的開發(fā)，來實現(xiàn)支持0.07μm的制造技術(shù)。同時將致力于面向300mm晶圓的氧化
物刻蝕裝置及旋轉(zhuǎn)刻蝕(Spin Etcher)裝置等


摘自日經(jīng)BP社