計算機世界網(wǎng)消息 周一，歐盟委員會公布了一份詳細的“未來半導體發(fā)展計劃”。在該計劃中歐盟表示，未來歐盟將投資建立一個新的研發(fā)中心，旨在加快歐盟國家在半導體材料、制造工藝以及設計方面取得突破。

　　歐盟委員會稱，它們將斥資2400萬歐元(大約折合2970萬美元)，啟動該項名為“NanoCMOS”的半導體高階制程研發(fā)計劃。

　　該計劃目的是通過技術研發(fā)，尋求增強半導體工作性能而且降低芯片密度的有效方法，也就是通常被人們稱為“納米科技”下一代半導體技術。

　　“NanoCMOS”計劃聚焦重點多在于發(fā)展45nm的互補型金屬氧化物半導體(CMOScomplementarymetal-oxidesemiconductor)制程的相關活動方面。同時，該組織還將對目前尚無廣泛應用45nm以下——32nm、22nm制程的CMOS進行研發(fā)。

　　關于納米半導體材料的研發(fā)，目前在世界范圍內已廣泛展開。去年，美國總統(tǒng)布什通過了一項關于投資37億美元興建美國“納米”半導體材料的四年研發(fā)計劃。

　　參加該納米科技“NanoCMOS”計劃的隊伍以學術界為基礎，并且整合了歐洲的優(yōu)秀半導體研究團隊，包括歐洲最大的三家半導體制造商——Infineon、飛利浦和STMicroelectronics公司，以及其他的幾個研究院，比如法國的CEALeti，比利時的IMEC等等。

　　據(jù)負責該項目的一位代表稱，該計劃的啟動旨在通過歐洲學院的先進理論和行業(yè)內的技術支持，使歐盟成為納米技術的領先者。該項目的第一步計劃利用兩年或更多的時間進行45nm制程半導體材料的研究，第二步研發(fā)計劃將針對45nm制程以下，也就是包括32nm、22nm材料的研發(fā)，預計將在2006年可初見輪廓。

　　作者：劉清河編譯