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當(dāng)前位置:首頁 > 智能硬件 > 半導(dǎo)體
富士通株式會(huì)社近日宣布將建立一個(gè)新的晶圓廠,采用最先進(jìn)的65納米工藝技術(shù)和300毫米的晶圓大批量生產(chǎn)邏輯半導(dǎo)體。該工廠將建在位于日本中部三重縣的富士通三重半導(dǎo)體工廠內(nèi),這將是該工廠第二個(gè)300毫米晶圓廠,以下稱簡稱為“300毫米晶圓二廠”。通過建立新的晶圓廠,富士通不僅能夠滿足日益增長的對采用先進(jìn)工藝生產(chǎn)的半導(dǎo)體的需求,更能基于其先進(jìn)的技術(shù)繼續(xù)提供最優(yōu)化解決方案和高性能產(chǎn)品,繼續(xù)成為客戶可信賴的業(yè)務(wù)伙伴。

擁有雙層潔凈室結(jié)構(gòu)的300毫米晶圓二廠計(jì)劃在2006會(huì)計(jì)年度內(nèi)建成(2006年4月至2007年3月),并將于2007年4月投入運(yùn)營,預(yù)計(jì)于2007年7月起開始批量出貨。 

在至2007會(huì)計(jì)年度末的兩年時(shí)間內(nèi),富士通將為新晶圓廠投入約1200億日元,使月生產(chǎn)能力達(dá)到10,000片晶圓。公司還將在市場需求趨勢預(yù)測的基礎(chǔ)上分階段追加投資。富士通希望該廠的最大月生產(chǎn)能力能達(dá)到25,000片晶圓。

300毫米晶圓一廠是在三重工廠建成的第一個(gè)300毫米晶圓廠,擁有采用90納米技術(shù)大批量生產(chǎn)300毫米晶圓的生產(chǎn)線,于2005年4月起開始運(yùn)營,其月生產(chǎn)能力將在2006會(huì)計(jì)年度達(dá)到15,000片晶圓。

富士通能夠提供同時(shí)實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行和低能耗的先進(jìn)工藝技術(shù),其晶體管技術(shù)、銅線和低介電常數(shù)(*1)工藝技術(shù)極具競爭力,受得了客戶的一致好評(píng)。另外,富士通還憑借其令一次性成功完全運(yùn)行(*2)成為可能的設(shè)計(jì)方法(*3)而大獲成功。富士通正不斷地與其全球技術(shù)伙伴進(jìn)行磋商,并預(yù)期從2007會(huì)計(jì)年度開始,需求將大大地超過現(xiàn)在運(yùn)營的300毫米晶圓一廠的生產(chǎn)能力。

300毫米晶圓二廠將擁有雙層潔凈室結(jié)構(gòu),可方便地?cái)U(kuò)大產(chǎn)能,它的建立將確保富士通能夠向其客戶穩(wěn)定地提供先進(jìn)的邏輯芯片。

300毫米晶圓二廠簡介
1.    工藝技術(shù):        65納米和90納米CMOS邏輯
2.    晶圓直徑:        300毫米
3.    建筑特點(diǎn):        抗震建筑;潔凈室面積:24,000平方米(最大產(chǎn)能時(shí))
4.    生產(chǎn)能力:        10,000片晶圓/月(2007會(huì)計(jì)年度投產(chǎn)),最大產(chǎn)能25,000片晶圓/月
5.    計(jì)劃開業(yè)日期:    2007年4月

300毫米晶圓一廠簡介
1.    工藝技術(shù):     90納米和65納米CMOS邏輯
2.    晶圓 直徑:    300毫米
3.    建筑特點(diǎn):     抗震建筑;潔凈室面積:12,000平方米
4.    生產(chǎn)能力:     15,000片晶圓/月(2006會(huì)計(jì)年度內(nèi))
5.    開業(yè)日期:           2005年4月
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