當(dāng)前位置：首頁 > 智能硬件 > 半導(dǎo)體

美光科技第三財季凈利9.39億美元同比增一倍

時間：2010-07-02 19:47:54

關(guān)鍵字：美光科技閃存芯片芯片制造商存儲芯片

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]據(jù)國外媒體報道，美國最大的存儲芯片制造商美光科技周一發(fā)布了該公司第三財季財報。財報顯示，受存儲芯片價格上漲及并購帶來會計收益的推動，美光科技第三財季凈利潤增至9.39億美元。在截至6月3日的第三財季，美光科

據(jù)國外媒體報道，美國最大的存儲芯片制造商美光科技周一發(fā)布了該公司第三財季財報。財報顯示，受存儲芯片價格上漲及并購帶來會計收益的推動，美光科技第三財季凈利潤增至9.39億美元。

在截至6月3日的第三財季，美光科技凈利潤為9.39億美元，合每股攤薄收益0.92美元。這一業(yè)績好于上年同期，2009財年第三財季，美光科技凈虧損為3.65億美元，合每股攤薄收益0.39美元。美光科技第三財季凈營收為22.9億美元，較去年同期的11.1億美元增長一倍。美光科技在財報中計入了收購閃存芯片制造商恒憶半導(dǎo)體給公司帶來的4.88億美元收益。美光科技在今年2月宣布斥資12.7億美元收購閃存芯片制造商恒憶半導(dǎo)體，借此加強(qiáng)公司的閃存芯片業(yè)務(wù)。

美光科技第三財季業(yè)績超過了市場預(yù)期。湯森路透的調(diào)查顯示，市場分析師此前平均預(yù)計，該公司第三財季每股攤薄收益為0.43美元，營收為21.2億美元。美光科技主要生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，以及NAND閃存芯片。該公司第三財季的DRAM閃存芯片銷量增長了10%，產(chǎn)品平均售價在當(dāng)季浮動了9%，較去年同期上漲51%；NAND閃存芯片營收同比增長16%，其中NAND閃存芯片銷量增長21%，抵御了平均售價下滑4%給公司帶來的影響。

美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓（SteveAppleton）在去年12月曾表示，整個產(chǎn)業(yè)對新工廠和設(shè)備的支出在2009年為40億美元，遠(yuǎn)低于2007年的220億美元，這表明很少有芯片制造商對擴(kuò)大產(chǎn)量感興趣。不過三星電子在上月已提升了2010年的資本支出預(yù)算。該公司計劃向存儲芯片業(yè)務(wù)投入9萬億韓元（約合75億美元），高于此前預(yù)計的5.5萬億韓元。在過去的10年中，美光科技只有4年實(shí)現(xiàn)了盈利。由于芯片產(chǎn)業(yè)受不確定市場需求的影響很大，因此整個產(chǎn)業(yè)很難很快調(diào)整生產(chǎn)水平。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系本站刪除。

換一批

格芯、英特爾、三星代工、臺積電和德州儀器正在美國建立新的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

10月5日訊當(dāng)?shù)貢r間周二(10月4日)，美國最大內(nèi)存芯片制造商美光科技在官網(wǎng)宣布，公司計劃在紐約州中部打造一個巨型晶圓廠，以促進(jìn)在美存儲芯片的生產(chǎn)。

關(guān)鍵字：美光科技巨型晶圓廠

[工業(yè)控制技術(shù)文庫]

供過于求，存儲芯片價格持續(xù)走低

與其他類型的半導(dǎo)體相比，存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲芯片更加商品化，對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。

關(guān)鍵字：存儲芯片半導(dǎo)體 DRAM

[快訊]

韓國半導(dǎo)體業(yè)籠罩危機(jī)感

一種“危機(jī)感”籠罩著韓國半導(dǎo)體行業(yè)。全球芯片戰(zhàn)愈演愈烈，這個東亞國家正準(zhǔn)備迎接來自美國和中國的更強(qiáng)大挑戰(zhàn)。韓國官員和行業(yè)高管越來越擔(dān)憂，隨著國內(nèi)芯片制造商在補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠的吸引下，爭相在美國興建半導(dǎo)體工廠，韓國在該領(lǐng)域的...

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體業(yè) 存儲芯片芯片制造商芯片領(lǐng)域

[嵌入式硬件]

閃存芯片還得看SK海力士，發(fā)布全球首款238層閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)

韓國存儲芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當(dāng)天...

關(guān)鍵字： SK海力士閃存芯片芯片

[嵌入式硬件]

SK海力士擴(kuò)大中國市場？SK海力士在華擴(kuò)大投資并建設(shè)新晶圓工廠

愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國市場深...

關(guān)鍵字： SK海力士晶圓廠閃存芯片

[模擬技術(shù)]