日本工業(yè)新聞稱爾必達(dá)計(jì)劃興建下一代芯片生產(chǎn)工廠

時(shí)間：2011-09-02 22:55:34

關(guān)鍵字：芯片生產(chǎn) 爾必達(dá) EUV 線路

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[導(dǎo)讀]日本媒體日刊工業(yè)新聞29日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因半導(dǎo)體制程技術(shù)將于數(shù)年后來(lái)到10nm等級(jí)(10-19nm)水平，加上現(xiàn)有工廠內(nèi)可供設(shè)置設(shè)備的空間已不多，故日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃于廣島工廠內(nèi)興建乙棟新廠房，該棟新廠房并將導(dǎo)

日本媒體日刊工業(yè)新聞29日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因半導(dǎo)體制程技術(shù)將于數(shù)年后來(lái)到10nm等級(jí)(10-19nm)水平，加上現(xiàn)有工廠內(nèi)可供設(shè)置設(shè)備的空間已不多，故日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃于廣島工廠內(nèi)興建乙棟新廠房，該棟新廠房并將導(dǎo)入次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)「超紫外光(ExtremeUltra-violet，EUV)微影設(shè)備」，預(yù)估投資額為20億日?qǐng)A左右。

報(bào)導(dǎo)指出，因EUV的實(shí)用化障礙不低，故爾必達(dá)將一邊透過(guò)現(xiàn)有的ArF液浸曝光設(shè)備持續(xù)進(jìn)行線路的細(xì)微化工程、一邊摸索EUV的量產(chǎn)可行性，因此爾必達(dá)將不會(huì)對(duì)上述EUV新廠房的興建時(shí)間等細(xì)節(jié)定出明確的時(shí)間表。據(jù)報(bào)導(dǎo)，就曝光技術(shù)來(lái)看，隨者波長(zhǎng)變短，硅晶圓上所形成的線路線幅就可變得更細(xì)，每片晶圓所能取得的芯片數(shù)也就可變得更多，而EUV的波長(zhǎng)為13.5nm，為現(xiàn)行主流的ArF液浸曝光設(shè)備的1/10以下。