日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進入量產(chǎn)；128GB NAND閃存預(yù)計于2012年進行量產(chǎn)。

20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元，英特爾與美光并未透露一個單元含有多少位(bit)。128GB NAND Flash首次采用平面式單元結(jié)構(gòu)(planar cell structure)，該結(jié)構(gòu)將高K金屬柵極(High-K Metal Gate；HKMG)技術(shù)整合至NAND制作過程，突破傳統(tǒng)NAND Flash技術(shù)的傳統(tǒng)浮動閘(Floating Gate)架構(gòu)。

20納米制程的128GB NAND Flash可實現(xiàn)1秒333MT(megatransfer)的速度，并于未來應(yīng)用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)與固態(tài)硬盤。

其他NAND Flash大廠也動作頻頻，如三星電子(Samsung Electronics)已對外宣布10納米閃存研發(fā)完成，并計劃在大陸興建新的20納米閃存生產(chǎn)線，一旦建廠獲得批準，建廠也如期完工，新產(chǎn)線將于2013年投入量產(chǎn)。 而日本大廠東芝(Toshiba)則將3座模擬芯片廠關(guān)閉，并將資源投注于NAND Flash研發(fā)。